公开(公告)号：CN115588700A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211282189.9

申请日：2022-10-19

Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司

Inventor： 黄智 ,  石鑫鑫 ,  姚骞

IPC: H01L31/0288 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/072 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/08 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种PERC电池片及其制备方法，属于光伏太阳能电池技术领域；方法包括：对制绒后的硅片进行扩散处理，以在硅片表面形成PSG层；在扩散处理后的硅片表面附着呈设定图案的含磷物质；对附着有含磷物质的硅片进行激光推进，以在硅片表面形成磷重掺杂区；对激光推进完成的硅片进行去PSG处理和碱抛处理，后制备电极，得到PERC电池片；提高了设定图案对应区域的磷掺杂浓度，形成磷重掺杂区，使得磷重掺杂区和其他区域的磷浓度差大大提高，进而使得磷重掺杂区的方阻远低于其他区域的方阻，在后续制备电极过程中，电极材料能够和磷重掺杂区的硅更好的接触，使得串联电阻更小、填充因子更高，从而转换效率更高。

公开(公告)号：CN114086254B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202111191104.1

申请日：2021-10-12

Applicant: 杭州富加镓业科技有限公司

Inventor： 赛青林 ,  齐红基 ,  陈端阳

IPC: C30B29/16 ,  C30B31/08 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开一种Ga2O3单晶及其制备方法，方法包括以下步骤：以易挥发的金属氧化物和Ga2O3为原料，进行晶体生长，得到掺杂M的Ga2O3单晶，所述M表示所述金属氧化物中的金属；将所述掺杂M的Ga2O3单晶置于富氧气氛下进行退火处理，使所述掺杂M的Ga2O3单晶中的M去除，得到所述Ga2O3单晶。本发明通过先进行阳离子替换，再进行退火去除的方法，有效提高了Ga2O3单晶中的本征镓空位浓度，从而实现受主类补偿，制备得到高绝缘性的Ga2O3单晶。另外，由于镓空位具有较大的激活能，在常规使用的高温下无法激活，从而实现了稳定的受主补偿效果，有效确保了Ga2O3单晶高阻的效果。

公开(公告)号：CN114277356A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111590976.5

申请日：2021-12-23

Applicant: 晋能清洁能源科技股份公司

Inventor： 聂文君 ,  王路路 ,  王菲 ,  王晶 ,  穆晓超 ,  褚君凯 ,  李叶 ,  冀琼

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/505 ,  C23C16/02 ,  C30B33/10 ,  C30B31/08 ,  C30B29/06 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅太阳能电池沉积氮化硅膜的方法，属于太阳能电池生产技术领域。包括：制绒‑将硅片置于多晶制绒清洗机中，利用制绒液与硅片反应，在硅片表面织构化处理制备绒面；扩散‑将制绒后的硅片置入扩散炉，利用低压热扩散法，以液态三氯氧磷作为扩散磷源并通过氮气携带进入炉管，在硅片表面形成PN结；刻蚀‑将扩散后的硅片置入背抛光机台，利用刻蚀液与硅片反应，去除硅片在扩散过程中边缘及背面形成的N型层，并去除硅片正面的磷硅玻璃；镀膜‑将刻蚀后的硅片置入PECVD机台中，在500‑520℃，以石墨舟为载体，真空状态下，通过射频电源激发SiH4和NH3辉光放电产生等离子体，在硅片表面发生化学反应生成氮化硅膜。

公开(公告)号：CN112725900A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011613644.X

申请日：2020-12-30

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 钱洪强 ,  张树德 ,  赵保星 ,  倪志春 ,  魏青竹 ,  连维飞

IPC: C30B31/08 ,  C30B31/18 ,  C30B31/16 ,  C30B29/06 ,  H01L21/223 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种扩散源瓶，包括：源瓶和连通管，所述源瓶与所述连通管连通，所述连通管上设置有感应器，所述连通管内的液位与所述源瓶内的液位一致，用于通过感应所述连通管内的液位以监控所述源瓶内的液位；所述感应器包括：低液位感应器，高液位感应器和超高液位感应器，所述低液位感应器、所述高液位感应器和所述超高液位感应器从下到上依次排列设置于所述连通管上，用于监控所述源瓶内的液位；能够实时监测源瓶内源液的液位，使得每台机的使用的源瓶里的源液能够保持安全液位，不需要频繁更换源瓶，有利于批量生产中保持工艺制程的稳定性。

公开(公告)号：CN109371471A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811451021.X

申请日：2018-11-30

Applicant: 上海晶盟硅材料有限公司

Inventor： 陈海波

IPC: C30B31/18 ,  C30B31/08 ,  C30B29/06 ,  C30B25/20

Abstract: 本发明公开了一种双层外延片的生长方法及双层外延片，生长方法为：在衬底上生长缓冲层，然后在缓冲层上生长耐压层；在缓冲层生长后、耐压层生长前，进行吹扫，吹扫的时间大于等于120s且小于等于300s。本发明研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其原因是缓冲层生长完成后，外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体，如磷烷、硼烷等，从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽，本发明将标准吹扫时间的30～45s改为大于等于120s且小于等于300s，可以解决这个问题。

公开(公告)号：CN102769069B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210245228.8

申请日：2012-07-16

Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 ,  阿特斯(中国)投资有限公司

Inventor： 殷涵玉 ,  王栩生 ,  章灵军

IPC: H01L31/18 ,  C30B31/08

Abstract: 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法，包括如下步骤：(1)将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内，升温至800~1100℃，通入氧气进行氧化，氧化时间为1~30min；(2)保持步骤(1)中的温度或升温至900~1100℃，通硼源、氧气和氮气进行硼扩散；(3)停止通源，保持温度或降温至800~900℃，在氮气气氛下保温5~50min；(4)降温，出舟，完成扩散过程。本发明的扩散方法可以提高硼扩散的均匀性，避免或减少富硼层的形成，提高硅片的少子寿命，同时可以保持较高的表面杂质浓度，有利于形成良好的欧姆接触，从而提高电池性能。

公开(公告)号：CN103474509B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310415415.0

申请日：2013-09-13

Applicant: 山西潞安太阳能科技有限责任公司

Inventor： 吴清萍 ,  周水生 ,  董建明 ,  刘进 ,  王艳波

IPC: H01L31/18 ,  C30B31/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及晶体硅太阳能电池生产领域，具体是一种晶体硅太阳能电池激光扩散方法。把干燥的硅片放入扩散炉，激光光源为矩形300 μm × 600 μm，激光扩散包括横向扫描和竖向扫描两种扩散方式，对在炉中的硅片在不同温度和不同浓度的三氯氧磷流量、氧气、氮气的条件下份三次对晶体硅片进行激光扩散扫描，从而提高了电池片光电转换效率的同时，减少了激光扩散的时间，从而大幅度减少了生产成本。

公开(公告)号：CN102593262B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210066713.9

申请日：2012-03-14

Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 ,  阿特斯(中国)投资有限公司

Inventor： 张凤 ,  张为国 ,  龙维绪 ,  王栩生 ,  章灵军

IPC: H01L31/18 ,  C30B31/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法，包括如下步骤：(1) 将生长掺杂剂的硅片放于扩散炉中，升温至750~800℃，炉内环境为N2，N2流量10~30 slm；(2) 待温度稳定后，使炉内各温区的温度均升至850~900℃，升温的同时通入0.2~2 slm携三氯乙烷的N2、1~5 slm O2和10~30 slm N2气体，以实现重掺，重掺方阻控制在30~60Ω/□；(3) 将各温区降至扩散温度820~840℃，通入携POCl3的N2进行扩散；(4) 将各温区的温度降至780~800℃，停止通入携POCl3的N2，推进时间为10~25 min，以实现浅掺，浅掺方阻控制在70~120Ω/□；(5) 将硅片降温，取出硅片，完成扩散过程。本发明采用高温实现掺杂剂扩散，实现了选择性发射极的重掺和浅掺，同时对多晶硅材料进行了吸杂，大大提高了转换效率。

公开(公告)号：CN103066150A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210369829.X

申请日：2012-09-27

Applicant: 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司

Inventor： 黄仑 ,  吴俊清 ,  王金伟 ,  史孟杰 ,  崔梅兰

IPC: H01L31/18 ,  C30B31/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于包括以下步骤：选用P型硅片，采用硅片制绒工艺对其进行表面去损伤层及构化；将制绒后的硅片完全浸泡在有机硅凝胶溶液中生成二氧化硅层；选择性去除硅片二氧化硅层，并清洗、烘干带二氧化硅层硅片；将烘干后的带二氧化硅层硅片置于扩散炉管内，通过N2作为载体导入扩散炉管，以三氯氧磷作为扩散源，进行磷离子扩散；采用湿化学刻蚀法去除扩散后硅片边缘及背面的PN结，完成后用酸去除硅片表面磷硅玻璃；使用等离子化学气相沉淀法对刻蚀后的硅片镀减反射膜；套印、烧结。本发明方法缩短了传统的二次扩散法制备选择性发射极电池的制作周期，使得设备投入降低，成品转化效率提升。

公开(公告)号：CN101916799B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201010233407.0

申请日：2010-07-22

Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 ,  阿特斯(中国)投资有限公司

Inventor： 吴坚 ,  王栩生 ,  章灵军

IPC: H01L31/18 ,  C30B31/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法，包括在晶体硅片绒面上生长扩散掩膜，再蚀刻开槽出电极栅线区域；然后采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，同时在非电极栅线区域形成浅掺杂区；所述一次扩散工艺包括如下步骤：(1)进舟；(2)温度稳定；(3)高温扩散：把三氯氧磷通过氮气带入扩散炉管内进行扩散；(4)高温推进：通入氧气进行扩散后再分布；(5)温度稳定：降温20～120℃，并使得扩散炉管内的温度稳定；(6)低温推进：通入氧气进行扩散后再分布；(7)退舟。本发明可将重掺杂区方块电阻控制在40Ω以下，浅掺杂区方块电阻控制在50Ω以上，实现了晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备。