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公开(公告)号：CN106409658A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610838749.2
申请日：2016-09-22
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02057
摘要： 本发明涉及单晶硅片的清洗领域。本发明在行业内常用的槽式和链式清洗设备基础上，使用常见酸碱对砂浆切割片进行清洗。清洗后的硅片外观光亮，显微镜下成方块结构，总体刻蚀量控制在9μm，设备操作和工艺控制简单，清洗后的硅片外观变化明显。两次清洗工艺对现有槽式机和链式机的清洗工艺进行简单修改，不需要额外增加特殊的清洗设备和特殊设计。不使用双氧水等强氧化性对设备由损伤的化学品。最终对砂浆切割单晶电池片，少子寿命可以提高30μs，电池片钝化后开路电压Uoc提高10mV，相比普通工艺，单晶电池转换效率提高0.8%。
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公开(公告)号：CN105140348B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510620928.4
申请日：2015-09-25
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域，具体是一种多晶太阳能电池背部钝化工艺。顺序进行酸制绒、硼扩散、背部钝化、刻蚀、第一次去PSG、磷扩散、激光刻槽、第二次去PSG、正面钝化、丝网印刷，在酸制绒过程使用添加剂，硼扩散过程，N2流量20slm，激光刻槽中开槽宽度为1.9毫米，采用双线200kHz的激光频率,5 m/s的传送速度,32A电流,进行激光刻槽，刻蚀需要手动装卸片，电池正面向下，开启水膜，HF酸浓度为7%，滚轮速度为1m/min，刻蚀深度1.0-1.2um。本发明高效多晶效率可提升0.6%以上，达到预期目的，组件封装损耗为0.5%左右，符合损耗要求。
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公开(公告)号：CN104157735A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410399144.9
申请日：2014-08-14
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/02363 , C30B33/10 , H01L31/1804
摘要： 本发明涉及太阳能电池制绒领域，特别是涉及一种单晶硅制绒工艺。一种太阳能电池制绒工艺，在现有的太阳能电池制绒工艺前增加预清洗和喷淋水洗步骤。本发明在初始对脏污单晶片进行有效清洗，从源头上制止不合格片的产生，降低脏污不合格片比例，提高产品品质，降低生产成本；本发明预清洗过程中采用清洗槽中的清洗液对硅片更加彻底清洗，阻止了污垢对主要工艺槽（刻蚀槽）的影响，增加了工艺稳定性；本发明预清洗过程中在硅片表面形成新的制绒结构，提高了电池片光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103802220B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410074732.5
申请日：2014-03-04
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： B28D1/08
摘要： 本发明涉及加工半导体硅单晶棒领域，具体是一种截断单晶硅棒的方法。本发明所采用的技术方案是：一种截断单晶硅棒的方法，在截断单晶硅棒前，设定边缘切割速度为1~2mm/min，同时根据金刚石锯带的刀数使用情况来设定锯带的张力大小。本发明的有益效果是：通过设定边缘切割速度为1~2mm/min，锯带出刀时能够有效避免硅棒端面发生崩边现象；根据锯带的刀数使用情况，来设定锯带的张力大小，有效克服锯带跑偏，避免硅棒端面发生平行度差的现象；根据锯带的刀数使用情况，来设定锯带的张力大小，有效延长了锯带的使用寿命，显著提升了锯带的切割刀数，有效降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103522431B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310494360.7
申请日：2013-10-21
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种硅片切割工艺，适用于太阳能光伏行业硅片单、多晶硅片切割工艺。本发明中硅片切割所使用主要辅材为砂浆，通过对废砂浆的回收，调整砂浆的配比，并在此基础上对切割工艺中的参数进行调整。本发明的优点在于：（1）将砂浆分离回收利用，生产过程中提高回收砂、回收液的使用比例，将废弃物品回收利用，既可减少环境污染，又可降低生产成本，从而推进光伏行业的前进，有效利用太阳能资源，减少非再生资源的使用量。（2）通过调整切割工艺，弥补回收砂、回收液切割能力的不足，保证切割硅片合格率在92%以上，达到降低生产成本的同时，也减少固体废弃物的排放。
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公开(公告)号：CN104499046A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410770467.4
申请日：2014-12-15
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种多晶硅生产方法。利用多晶硅铸锭炉六面加热的独特优势，精确控制加热和融化过程热场温度，优化温度梯度，获得硅晶体定向生长的最佳固液界面和长晶速率，从而获得具有特定取向的晶体硅锭。得到的晶体尺寸均匀、大小一致，且能有效改善硅晶体内部缺陷分布，显著提高硅片的少子寿命值，从而提高最终太阳电池的转换效率0.3%-0.5%。
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公开(公告)号：CN103802220A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410074732.5
申请日：2014-03-04
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： B28D1/08
摘要： 本发明涉及加工半导体硅单晶棒领域，具体是一种截断单晶硅棒的方法。本发明所采用的技术方案是：一种截断单晶硅棒的方法，在截断单晶硅棒前，设定边缘切割速度为1~2mm/min，同时根据金刚石锯带的刀数使用情况来设定锯带的张力大小。本发明的有益效果是：通过设定边缘切割速度为1~2mm/min，锯带出刀时能够有效避免硅棒端面发生崩边现象；根据锯带的刀数使用情况，来设定锯带的张力大小，有效克服锯带跑偏，避免硅棒端面发生平行度差的现象；根据锯带的刀数使用情况，来设定锯带的张力大小，有效延长了锯带的使用寿命，显著提升了锯带的切割刀数，有效降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN104843711A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510196136.9
申请日：2015-04-23
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域，具体是一种新型太阳能硅料酸洗方法。一种新型太阳能硅料酸洗方法，腐蚀过程酸槽中使用的酸洗液为HF、HNO3、CH3C00H三种酸混合而成，其中HNO3采用质量百分比浓度为66%的HNO3，HF采用质量百分比浓度为49%HF，CH3C00H采用质量百分比浓度为99.5%CH3C00H，按照体积比5:3:4混合，腐蚀时间45-60s。醋酸作为缓冲溶剂，减缓了反应速率，使硅与混酸反应稳定，提高了HF、HNO3的利用率。节省了生产成本。腐蚀时间短，缩短了生产周期。
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公开(公告)号：CN103522431A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310494360.7
申请日：2013-10-21
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种硅片切割工艺，适用于太阳能光伏行业硅片单、多晶硅片切割工艺。本发明中硅片切割所使用主要辅材为砂浆，通过对废砂浆的回收，调整砂浆的配比，并在此基础上对切割工艺中的参数进行调整。本发明的优点在于：（1）将砂浆分离回收利用，生产过程中提高回收砂、回收液的使用比例，将废弃物品回收利用，既可减少环境污染，又可降低生产成本，从而推进光伏行业的前进，有效利用太阳能资源，减少非再生资源的使用量。（2）通过调整切割工艺，弥补回收砂、回收液切割能力的不足，保证切割硅片合格率在92%以上，达到降低生产成本的同时，也减少固体废弃物的排放。
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公开(公告)号：CN105226132B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510619515.4
申请日：2015-09-25
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明设计太阳能电池生产领域，具体是镀减反射膜工艺段（PECVD）彩虹片返工工艺。一种太阳能彩虹片返工工艺，在太阳能硅片生产中，对PECVD工艺段生产过程中会产生的彩虹片进行返工操作，顺序在质量百分比浓度为23-45%碳酸钠浸泡1-3分钟，用高压脉冲电场处理，在质量百分比浓度为8-15%的氢氟酸中浸泡3-5分钟，再进行常规PSG清洗和制绒工艺。本发明不会对硅片表面造成大的腐蚀同时有效清除了氮化硅膜。
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