-
公开(公告)号：CN119287522A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411379993.8
申请日：2024-09-29
Applicant: 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC: C30B31/02 , H01L21/225 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供一种对单晶硅进行硼扩散的方法，其中，包括：将单晶硅经过预处理、亲硼薄膜层生长后得到表面为亲硼薄膜层的单晶硅；将表面为亲硼薄膜层的单晶硅在氧气和硼源的存在下进行反应，得到覆盖亲硼薄膜层的B2O3薄膜层；将经过两次薄膜层生长的单晶硅在无氧的条件下进行第一硼扩散反应，冷却，除膜后在氧气存在的条件下进行第二硼扩散反应，然后单晶硅在氮气和氢气的条件下进行消硼反应，得到硼扩散单晶硅。本申请利用亲硼薄膜层和氢气辅助推进技术，在不超过940℃的条件下实现了较深的PN结和高方阻的硼扩散效果，有效避免了高温对硅片本体的损伤，提升了太阳能电池的转换效率，并为后续生产复杂结构的太阳能电池提供了便利。
-
公开(公告)号：CN117822127A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410008462.1
申请日：2024-01-02
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备方法，包括在所述本征硅衬底上制备预设图形结构；将单晶金刚石放置在所述本征硅衬底的若干支撑结构之上；在与支撑结构相接触的单晶金刚石的表面形成若干硅空位色心区域；使用氮氢混合的等离子体的微波等离子集团处理表面具有硅空位色心区域的单晶金刚石，以使硅空位色心区域转化为氮空位色心区域；对表面具有氮空位色心的单晶金刚石进行退火处理，完成表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备。本发明提出的方法可以在金刚石表面所需区域，选择性的生长氮空位色心，更适合金刚石氮空位色心的应用。本发明提供的方法对金刚石没有破坏性，制备的具有氮空位色心的金刚石质量更高。
-
公开(公告)号：CN114551657A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210110581.9
申请日：2022-01-29
Applicant: 江西兆驰半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种红黄GaAs系LED制备方法及芯片，所述方法包括：提供GaAs衬底；在所述GaAs衬底上生长外延层；在所述外延层上依次生长第一碳掺GaP层以及第二碳掺GaP层，并在所述第二碳掺GaP层上蒸镀AuBe；通过退火使所述AuBe中的Be离子扩散至所述第二碳掺GaP层中，后蚀刻蒸镀的所述AuBe以露出所述第二碳掺GaP层；在所述第二碳掺GaP层生长CB层，并在所述CB层上设置镜面金属层。相比于现有技术，本发明在兼顾高出光效率的同时避免了芯片的整体电压偏高。
-
公开(公告)号：CN112226818B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011212050.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 中国地质大学(武汉) , 滇西应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种在长石晶体中生长纳米材料的方法，该制备方法通过高温扩散的手段将金属元素引入到长石晶体内部，为了减少长石晶体在高温扩散过程中与扩散原料的化学反应对长石晶体表面造成的损伤，在高温扩散过程中将长石晶体的一部分包埋在扩散原料中，另外一部分露出不与扩散原料直接接触。这种方法得到的含有纳米材料的长石晶体露出的部分表面无损伤，可以最大程度地保留其作为宝石材料、光电材料的应用价值。
-
公开(公告)号：CN113186602A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110477013.8
申请日：2021-04-29
Applicant: 杭州光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂II‑VI族化合物同质包边多晶激光材料及其的制备方法，其中，方法包括步骤：在II‑VI族化合物激光材料的通光面上镀Cr膜，得到一次处理II‑VI族化合物激光材料；在所述一次处理II‑VI族化合物激光材料的非通光面上镀Fe膜，得到二次处理II‑VI族化合物激光材料；在所述二次处理II‑VI族化合物激光材料的通光面和非通光面上镀Au膜，得到三次处理II‑VI族化合物激光材料；将所述三次处理II‑VI族化合物激光材料置于真空环境中并在800‑1000℃的温度条件下扩散2‑8周，得到所述Cr掺杂II‑VI族化合物同质包边多晶激光材料。本发明制备的Cr掺杂II‑VI族化合物同质包边多晶激光材料可以抑制激光增益介质的寄生振荡，从而提升材料的中波红外增益性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112899776A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110067618.X
申请日：2021-01-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种合成硼氢共掺杂金刚石单晶的方法属于晶体生长中的金刚石单晶生长的技术领域。本发明采用高温高压温度梯度法合成金刚石大单晶，自腔体的高温端向低温端依次排列碳源(7)、改性触媒(8)、籽晶(3)和晶床(10)；所述改性触媒(8)由KBH4粉末与NiMnCo金属触媒混合而成。本发明的方法更容易获得硼氢共掺杂金刚石晶体，减小了硼氢共掺杂金刚石的获取难度，该方法合成晶体质量优秀，形状规则对称，并且操作简单，成本低，具有可重复性。
-
公开(公告)号：CN102953123B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210279698.6
申请日：2012-08-07
Applicant: TP太阳能公司
Inventor： 理查·W·帕克斯 , 路易斯·阿雷安卓·芮·加希亚 , 彼得·G·拉给
IPC: C30B31/02
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 多区域太阳能电池扩散炉具有多个辐射元件（SiC）或/和高强度IR灯加热式加工区域，区域包含挡板区域、升高区域、焙烧区域、均热区域及冷却区域。通过超低质量晶片运送系统来实施将太阳能电池晶片运送穿过炉的操作，太阳能电池晶片，晶片运送系统包括横向隔开、有防护、并且同步驱动的金属带或链，金属带或链承载悬挂在金属带或链之间的金属丝上的非旋转式氧化铝管。晶片位于沿着氧化铝管横向隔开的凸起圆周支座上，减少污染。高强度IR通量对晶片进行快速光辐射调节，使得扩散发生的速度比常规高质量热炉快两倍以上。使用插在运送管中的因科镍护套的纵向侧壁加热器来确保对邻近侧壁的晶片边缘进行均匀加热，加热器包括盘管式加热器。
-
公开(公告)号：CN102732967B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210177197.7
申请日：2012-06-01
Applicant: 上饶光电高科技有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺，对扩散工艺步骤进行相关参数调整，找到适合选择性发射极晶体硅太阳电池磷浆的扩散方式，使得产生明显的重掺杂区和浅掺杂区，可以提高光线的短波响应，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN103696012A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310683603.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法。该方法包括：采用升华法将碳化硅源料加热至升华，根据剩余碳化硅源料形状判断温场情况，确定出高温区与次高温区域；在高温区与次高温区放置盛有掺杂剂的石墨坩埚；再填满源料继续生长。所得碳化硅晶棒电阻率均匀性好，切割的晶片均呈半绝缘特性，可实现高产率的半绝缘碳化硅晶片的生产。
-
公开(公告)号：CN103459312A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016847.8
申请日：2012-03-30
Applicant: 巴斯夫欧洲公司
IPC: C01B31/00 , C30B31/02 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M10/00
CPC classification number: H01M4/133 , C01B32/225 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/39
Abstract: 提供了一种颗粒状多孔碳材料，包含碳相和至少一个排列在该碳相中的孔相，颗粒的碳相与孔相形成基本共连续的不规则相畴，孔相的相邻畴之间的距离基本不超过50nm。还提供了一种生产该碳材料的方法，一种包含元素硫和该碳材料的复合材料和该类材料在锂电子，尤其是锂-硫电池中的用途。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.017 seconds)
