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公开(公告)号：CN118263307A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410197957.3
申请日：2024-02-22
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种p‑GaN栅增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：多层功能层；p型氮化镓层，位于多层功能层的一侧；源极和漏极，位于多层功能层的一侧，且源极和漏极分别位于p型氮化镓层的两侧，源极和漏极至少部分延伸至多层功能层中；介质层，覆盖源极、漏极、P型氮化镓层和暴露出来的多层功能层，介质层包括第一开口和第二开口，第一开口暴露出源极，第二开口暴露出漏极，介质层还包括凹槽，沿垂直于多层功能层的厚度的方向，凹槽的正投影与p型氮化镓层的正投影交叠；栅极，至少部分位于凹槽上，至少部分位于介质层上。本发明能够提升器件的长期可靠性。
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公开(公告)号：CN117822127A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410008462.1
申请日：2024-01-02
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备方法，包括在所述本征硅衬底上制备预设图形结构；将单晶金刚石放置在所述本征硅衬底的若干支撑结构之上；在与支撑结构相接触的单晶金刚石的表面形成若干硅空位色心区域；使用氮氢混合的等离子体的微波等离子集团处理表面具有硅空位色心区域的单晶金刚石，以使硅空位色心区域转化为氮空位色心区域；对表面具有氮空位色心的单晶金刚石进行退火处理，完成表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备。本发明提出的方法可以在金刚石表面所需区域，选择性的生长氮空位色心，更适合金刚石氮空位色心的应用。本发明提供的方法对金刚石没有破坏性，制备的具有氮空位色心的金刚石质量更高。
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公开(公告)号：CN115148810A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210784215.1
申请日：2022-06-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括从下至上依次设置的衬底、底部GaN缓冲层、顶部UID‑GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、Si3N4钝化层、设置于顶部UID‑GaN缓冲层两端的源极和漏极以及设置于AlGaN势垒层上的栅极，所述源极还与设置于顶部UID‑GaN缓冲层内的三层P型埋层相连，本发明在AlGaN/GaN异质结外延过程中采用碳掺杂的周期性GaN缓冲层作为底层GaN缓冲层，可有效抑制垂直方向上经由源极或漏极流向衬底的泄漏电流，减小底层GaN缓冲层位错密度，提高结晶质量，同样能减小流向底层GaN缓冲层的泄漏电流，具有与源极相连的三层P型埋层的HEMT器件结构，实现了击穿电压和导通电阻的折衷。
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公开(公告)号：CN116169217A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211676284.7
申请日：2022-12-26
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于Mg扩散法的UV‑LED器件结构及其制备方法，涉及半导体领域，包括从下至上依次设置的衬底、氮化镓成核层、铝镓氮缓冲层、N型铝镓氮层、N型欧姆电极、多量子阱层、AlxGa1‑xN电子阻挡层、P‑AlGaN层、P‑GaN层、P‑GaN高掺杂层和P型欧姆电极，其中，还包括N型欧姆电极，本发明还公开了其制备方法，通过扩散的方式使得Mg更好地取代Ga位，减少了填充类型的Mg原子，使得并入的Mg原子大部分处在Ga位，提高了处于Ga位Mg原子的比例，Mg的电离率相应增加；取代Ga位的Mg比例增加，使得电离能低的Mg原子比例增加Mg的电离率相应的提高；而且Mg扩散法形成的重掺杂P‑GaN层的高空穴浓度有利于载流子隧穿，形成比接触电阻率低的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN114038750A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111304770.1
申请日：2021-11-05
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L23/373 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了氮化镓功率器件，其结构组成为：包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中在氮化镓缓冲层生长中间过程中选区插入多晶金刚石，本发明基于自身在氮化镓器件制备以及金刚石生长方面的基础，提出了一种在AlGaN/GaN异质结外延过程中穿插生长多晶金刚石的方案，可以有效的提高AlGaN/GaN HEMT功率器件散热能力，同时优化生长条件，改善AlGaN/GaN异质结生长质量。
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公开(公告)号：CN114038750B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111304770.1
申请日：2021-11-05
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L23/373 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了氮化镓功率器件，其结构组成为：包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中在氮化镓缓冲层生长中间过程中选区插入多晶金刚石，本发明基于自身在氮化镓器件制备以及金刚石生长方面的基础，提出了一种在AlGaN/GaN异质结外延过程中穿插生长多晶金刚石的方案，可以有效的提高AlGaN/GaN HEMT功率器件散热能力，同时优化生长条件，改善AlGaN/GaN异质结生长质量。
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公开(公告)号：CN114236340A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111563751.0
申请日：2021-12-20
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于反向I‑V特性的二极管漏电分析方法，包括下列步骤：步骤一、制备二极管的样品用于测试分析；步骤二、对二极管的样品进行变温反向I‑V特性测试，测得的不同温度下的反向I‑V特性数据；步骤三、通过不同漏电流输运机制的漏电流计算公式对上一步所得的反向I‑V特性数据进行拟合，分析出对应的漏电流输运机制。本发明能依据计算公式对多组I‑V特性曲线进行分段拟合分析，最后准确得出该二极管样品的漏电流运输机制，有助于技术人员改善工艺、优化产品应用，对提升产品的质量和可靠性有着较大的意义。
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公开(公告)号：CN217361588U
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202122315107.3
申请日：2021-09-18
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
摘要： 本实用新型公开了一种金刚石场效应晶体管，包括：金刚石衬底，金刚石衬底的第一表面为氢终端表面；第一器件功能层，设置于第一表面上，第一器件功能层包括：源极和漏极，均设置于第一表面上，且分别位于第一表面的两端；介质层，设置于源极和漏极之间的第一表面上，并覆盖源极和漏极；位于源极和漏极之间的介质层上形成第一凹槽，且第一凹槽的底面还形成有第二凹槽；介质层的导带底低于金刚石衬底的价带顶的位置；栅极，填充第一凹槽和第二凹槽，且栅极还延伸至第一凹槽外。本实用新型中的器件，能够在介质层提高其氢终端表面的二维空穴气浓度发挥金刚石材料的优越性的同时，通过双T型结构的栅极有效提高该金刚石场效应晶体管的截止频率。
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