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公开(公告)号：CN114220875B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202111469319.5
申请日：2021-12-03
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , B41F15/36
摘要： 一种MWT电池背铝电极及印刷网板，包括晶硅板、印刷网板，所述晶硅板背部设置有背铝电极，所述背铝电极电性连接有数个阵列的背银电极，所述晶硅板阵列设置有数个贯穿所述晶硅板的填孔电极，所述填孔电极与所述背银电极等间隔设置，所述背铝电极设置有所述印刷网板，其中，所述背铝电极对应所述填孔电极外周的位置一体成型有凸起部，所述凸起部的厚度等于所述填孔电极的厚度，所述印刷网板对应所述凸起部的位置设置有断丝部。本申请通过在背铝电极上设置数个与填孔电极外周相对的凸起部来缩减或消逝与填孔电极之间的厚度差，增大了在数块晶硅板需要堆叠设置时相互之间的接触面积，降低了晶硅板上正面电极被划伤和断栅的风险。
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公开(公告)号：CN109494274B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201811528490.7
申请日：2018-12-13
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法，其中，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。
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公开(公告)号：CN114695588B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011643595.4
申请日：2020-12-30
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/20 , H01L21/30
摘要： 本发明涉及了一种高效异质结电池结构及其制备方法，高效异质结电池结构包括：中间电池结构，设有n型单晶硅层；正面电池结构，包括依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层；以及背面电池结构，包括相反方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层；其中，p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1～5nm，p型掺杂氢化氧化硅层、n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10～20nm。通过上述设置，可解决现有的异质结电池结构中由于掺杂非晶硅层的厚度与性能两者矛盾对立导致的电池转换效率低的问题。
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公开(公告)号：CN109968799B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910355371.4
申请日：2019-04-29
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： B41F15/36 , B41M1/12 , B41M1/26 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，其中，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。
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公开(公告)号：CN114447147B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111624966.9
申请日：2021-12-28
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种提高太阳能电池用硅片制绒良率的方法，包括对硅片的制绒槽通过如下步骤进行预清洗：A、向所述制绒槽内加入碱液和双氧水的第一混合液，加热，鼓泡处理至少10小时，期间每隔一段时间添加双氧水；B、排空制绒槽内的第一混合液，加入去离子水进行清洗；C、向制绒槽内加入碱液和制绒添加剂的第二混合液，加热，鼓泡处理至少10小时；D、排空制绒槽内的第二混合液，加入去离子水进行清洗。本发明通过对太阳能电池的硅片制绒槽进行预处理，改善制绒良率，进而提高电池转换效率。
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公开(公告)号：CN111850522B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202010772639.7
申请日：2020-08-04
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/458 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种传输装置，包括承载主体，所述承载主体的两侧对称的设置有多个用于对传输对象进行传输的滚轮，相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件。由于相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件，因此传输对象就不会进入滚轮之间导致无法继续向前移动，从而该方案能够快速、低成本的降低卡框概率，减少卡框引起的产品质量不良的问题，提高设备嫁动率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN115020512B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210946830.8
申请日：2022-08-09
申请人： 山东腾晖新能源技术有限公司 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 一种TOPCon光伏电池及其制备方法，属于光伏电池技术领域。现有的TOPCon电池结构通常用SiNx、Al2O3/SiNx对N型、P型区域表面进行钝化。SiNx与Si之间、Al2O3与Si之间均会存在一定的晶格失配，电池转换效率低。本发明以N型硅衬底，正面设置P型掺杂区，P型掺杂区的表面钝化结构为：沿着远离P型掺杂区的方向依次设置的SiO2层、Al2O3层和SiNx层；N型硅衬底的表面钝化结构为：沿着远离N型硅衬底的方向依次设置的SiO2层、多晶硅层和SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层，降低晶格失配程度，降低界面处的态密度，使电池转换效率更高。
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公开(公告)号：CN111916528B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010606899.7
申请日：2020-06-29
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置，在背面沉积AlOx层；且在所述正面和背面沉积SiNx层；然后对所述P型单晶硅片进行退火工艺。本发明通过在在SiNx镀膜后，增加退火步骤，调节晶体硅电池内氢浓度，降低由过量氢元素造成的的热辅助光致衰减，进而提高了晶体硅电池封装组件的输出功率。
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公开(公告)号：CN112271221B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011090280.1
申请日：2020-10-13
申请人： 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号：CN114220875A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111469319.5
申请日：2021-12-03
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , B41F15/36
摘要： 一种MWT电池背铝电极及印刷网板，包括晶硅板、印刷网板，所述晶硅板背部设置有背铝电极，所述背铝电极电性连接有数个阵列的背银电极，所述晶硅板阵列设置有数个贯穿所述晶硅板的填孔电极，所述填孔电极与所述背银电极等间隔设置，所述背铝电极设置有所述印刷网板，其中，所述背铝电极对应所述填孔电极外周的位置一体成型有凸起部，所述凸起部的厚度等于所述填孔电极的厚度，所述印刷网板对应所述凸起部的位置设置有断丝部。本申请通过在背铝电极上设置数个与填孔电极外周相对的凸起部来缩减或消逝与填孔电极之间的厚度差，增大了在数块晶硅板需要堆叠设置时相互之间的接触面积，降低了晶硅板上正面电极被划伤和断栅的风险。
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