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公开(公告)号：CN112271221B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011090280.1
申请日：2020-10-13
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号：CN112599635A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011422086.9
申请日：2020-12-08
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法。该制备方法包括：A、提供制绒后的P型硅片；B、对P型硅片进行扩散形成P型轻掺杂层；C、对P型轻掺杂层进行选择性的开槽，使P型硅片的局部正面露出；D、对步骤C处理后的P型硅片进行二次扩散，在P型硅片的对应开槽区域的部分中形成P型重掺杂部；E、在P型硅片的正面和背面分别制备正面介质层和背面介质层；F、在正面介质层上印刷正面浆料，且至少部分正面浆料位于P型重掺杂部的正上方；在背面介质层上印刷背面浆料；G、烧结，其中正面浆料穿透正面介质层而和P型重掺杂部接触。本发明提升了填充因子FF，降低了载流子的传输损耗，提高光电转化效率。
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公开(公告)号：CN112103278A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010781222.7
申请日：2020-08-06
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间刻蚀制备纳米截头锥孔周期阵列结构并形成p型掺杂层，在纳米截头锥孔内壁制备Ag薄膜反射层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明还公开了该电池的制备方法。本发明利用纳米截头锥孔周期阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
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公开(公告)号：CN111933727A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010832614.1
申请日：2020-08-18
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳电池背电极结构，包括电池片主体和设置在电池片主体背面的钝化介质层，还包括设置在钝化介质层的凹槽、覆盖凹槽且与电池片主体连接的第一铝栅线层以及多条设置在钝化介质层与第一铝栅线层连接的铝主栅线层。通过在电池片主体的背面的钝化介质层设置凹槽，在凹槽上覆盖设置第一铝栅线层，使得第一铝栅线层与电池片主体连接，由于第一铝栅线层仅仅是覆盖凹槽设置而不是覆盖整个钝化介质层设置，在烧结过程中铝硅界面附近液态铝中的硅向远离铝硅界面方向的扩散得到抑制，从而保持铝硅界面附近液态铝中的硅浓度在较高的水平，进而增加铝背表面场深度，抑制铝硅界面附近空洞的形成，提高电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN110610998A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910904527.X
申请日：2019-09-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及制备方法，其电池正表面的整体复合速率进一步降低。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面，正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112103278B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010781222.7
申请日：2020-08-06
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间刻蚀制备纳米截头锥孔周期阵列结构并形成p型掺杂层，在纳米截头锥孔内壁制备Ag薄膜反射层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明还公开了该电池的制备方法。本发明利用纳米截头锥孔周期阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
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公开(公告)号：CN112271221A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011090280.1
申请日：2020-10-13
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号：CN110828583A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910904174.3
申请日：2019-09-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。本发明在减小非金属接触区域复合速率的同时，进一步减小金属接触区域的复合速率。
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公开(公告)号：CN110634964A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109742242A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910156029.1
申请日：2019-03-01
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱纳米阵列探测器，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本发明还公开了一种宽光谱纳米阵列探测器的制备方法。本发明利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围，在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。
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