发明公开
CN109742242A 一种宽光谱纳米阵列探测器及其制备方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 一种宽光谱纳米阵列探测器及其制备方法
-
申请号: CN201910156029.1申请日: 2019-03-01
-
公开(公告)号: CN109742242A公开(公告)日: 2019-05-10
- 发明人: 况亚伟 , 刘玉申 , 倪志春 , 魏青竹 , 杨希峰 , 王书昶 , 马玉龙 , 冯金福
- 申请人: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市常熟市南三环路99号
- 专利权人: 常熟理工学院,苏州腾晖光伏技术有限公司
- 当前专利权人: 常熟理工学院,苏州腾晖光伏技术有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市常熟市南三环路99号
- 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 张俊范
- 主分类号: H01L51/42
- IPC分类号: H01L51/42 ; H01L51/46 ; H01L51/48 ; B82Y15/00 ; B82Y30/00
摘要:
本发明公开了一种宽光谱纳米阵列探测器,包括氧化硅衬底,氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构,ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构,ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体,氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜,位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本发明还公开了一种宽光谱纳米阵列探测器的制备方法。本发明利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围,在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。
IPC分类: