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公开(公告)号：CN112271221B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011090280.1
申请日：2020-10-13
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号：CN109888047A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910034139.0
申请日：2019-01-15
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，包括背电极，背电极上设置n型单晶硅，n型单晶硅的表面设置二氧化硅层，二氧化硅层是具有通孔的环状结构，二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层设置前电极，n型单晶硅的表面设有若干阵列布置的非均匀盲孔，非均匀盲孔包括连续设置的第一孔段和第二孔段，第一孔段直径大于第二孔段直径。本发明还公开了制备基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池的方法。本发明通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节光子的吸收率，显著提高长波波长光子的利用效率进而提高光电转换效率。具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN112271221A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011090280.1
申请日：2020-10-13
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号：CN109742242A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910156029.1
申请日：2019-03-01
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱纳米阵列探测器，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本发明还公开了一种宽光谱纳米阵列探测器的制备方法。本发明利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围，在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。
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公开(公告)号：CN108649093A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810775606.0
申请日：2018-07-16
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/077 , H01L31/0336 , H01L31/20 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基径向纳米线太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型纳米线周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属薄膜，n型纳米线周期阵列结构表面依次设置硫化钼薄膜和p型非晶硅薄膜，p型非晶硅薄表面和n型单晶硅衬底的由n型纳米线周期阵列结构裸露的第一面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜和金属薄膜引出导电电极对外供电。本发明还公开了一种硅基径向纳米线太阳能电池的制备方法。本发明利用利用硫化钼薄膜作为本征层对n型纳米线周期阵列的纳米线表面缺陷进行修饰，在降低界面复合的同时提高对宽光谱太阳能波段的吸收，从而提高硅基径向纳米线太阳能电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109742243A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910156062.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本发明还公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池的制备方法。本发明利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN109698249A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201910034142.2
申请日：2019-01-15
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。本发明还公开了制备具有特定波长光吸收峰值的半导体基片的方法。本发明通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节特定波长段光子的吸收率,适用于太阳能光伏电池及光电探测器领域。具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN209592086U
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201920262664.3
申请日：2019-03-01
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本实用新型利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209344126U
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201920262643.1
申请日：2019-03-01
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种宽光谱纳米阵列探测器，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本实用新型利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围，在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209344104U
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201920059522.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，包括背电极，背电极上设置n型单晶硅，n型单晶硅的表面设置二氧化硅层，二氧化硅层是具有通孔的环状结构，二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层设置前电极，n型单晶硅的表面设有若干阵列布置的非均匀盲孔，非均匀盲孔包括连续设置的第一孔段和第二孔段，第一孔段直径大于第二孔段直径。本实用新型通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节光子的吸收率，显著提高长波波长光子的利用效率进而提高光电转换效率。具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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