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公开(公告)号:CN115241303B
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202110445224.3
申请日:2021-04-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种背结晶硅电池及其制备方法,所述背结晶硅电池包括:P型硅片、正面钝化减反层、正面金属栅线;其中,所述正面钝化减反层形成在所述P型硅片的正面上,所述正面金属栅线为周期性的分段结构,单个周期的分段结构包括铝电极和正面银电极,其中,所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触,所述正面银电极形成于所述正面钝化减反层上并与所述铝电极搭接接触。本发明的背结晶硅电池无需复杂的局部重掺步骤,也无需高温的硼扩;而且银电极的遮光面积小,从而提高硅片的光吸收效率。
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公开(公告)号:CN114142790B
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202111181121.7
申请日:2021-10-11
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H02S10/10 , H02N1/04 , H01L31/048 , A45F3/04
Abstract: 本发明提供一种背包及发电机构,包括背包体及设于背包体上的发电机构,发电机构包括IBC太阳能电池,IBC太阳能电池具有位于其背面的第一电极和第二电极,第一电极和第二电极上下设置;发电机构还包括:摩擦片,其和IBC太阳能电池的背面接触且能够相对IBC太阳能电池上下移动,摩擦片由得电子能力大于第一电极和第二电极的绝缘材料制成;其中,发电机构至少具有第一状态和第二状态,在第一状态时,摩擦片和第一电极接触而脱离第二电极;在第二状态时,摩擦片和第二电极接触而脱离第一电极。本发明的背包具有光伏发电功能,能够将使用者行走时产生的机械能转换为电能,具有较高的电能输出功率。
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公开(公告)号:CN115863461A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211424163.3
申请日:2022-11-15
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/048 , H01L31/054 , H01L31/18 , H02S30/20
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池组件及封装方法,涉及太阳能光伏技术领域。该太阳能电池组件,包括柔性玻璃以及柔性薄膜电池阵列,所述柔性薄膜电池阵列由若干柔性薄膜电池组成,所述柔性薄膜电池与柔性薄膜电池之间嵌合有反光板,所述柔性薄膜电池阵列的下侧壁设置有第二粘连层,所述第二粘连层的下侧壁固定连接有背板;所述柔性薄膜电池的上侧壁固定连接有导电铜带,所述导电铜带的上侧壁与柔性玻璃之间设置有第一粘连层以及绝缘层。通过柔性玻璃以及柔性薄膜电池的使用,可以有效对太阳能电池组件的尺寸进行调整,能够有效提高太阳能电池组件的适用范围。
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公开(公告)号:CN115775842A
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN202211417894.5
申请日:2022-11-14
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/048 , H01L31/05 , H02S40/34
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池组件的封装工艺及其封装设备,涉及太阳能电池领域。该太阳能电池组件的封装工艺,采用封装设备进行封装,所述封装设备包括依次连接的进料自动线、第一工作台自动线、第二工作台自动线、第三工作台自动线、第四工作台自动线以及出料自动线。该封装工艺在太阳能电池组件的四周安装密封套,密封套能够将太阳能电池组件围成封闭结构,真空系统通过密封套两侧的抽气管将太阳能电池组件中的气体抽出,使得太阳能电池组件的各个组件相互紧贴,经过固化装置后EVA胶体对太阳能电池组件的各个组件进行固定,通过该工艺对太阳电池组件进行封装,能够有效降低太阳能电池组件中的气泡含量,提高封装效果。
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公开(公告)号:CN110828583B
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN201910904174.3
申请日:2019-09-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极,背面钝化层形成于P型硅基体背面,背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体形成欧姆接触,N型硅掺杂层形成于P型硅基体的正面,N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层,氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层,正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。本发明在减小非金属接触区域复合速率的同时,进一步减小金属接触区域的复合速率。
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公开(公告)号:CN110634983A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201910920590.2
申请日:2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳电池,包括:P型硅基体,所述P型硅基体正面设有正面N型硅,所述P型硅基体与所述正面N型硅连接形成浮动结;采用浮动结作为正面的钝化结构,在保证正面钝化效果的前提下,一方面简化制备流程,另一方面规避了硼扩散的高温对P型硅基体少子寿命的影响,提高了电池的效率。
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公开(公告)号:CN108321238A
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201810214013.7
申请日:2018-03-15
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯双面太阳能电池,包括n型单晶硅,所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上设置石墨烯薄膜层,在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极;所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅,所述n+型多晶硅表面设置光学减反层,所述光学减反层表面设置背栅线电极。本发明还公开了石墨烯双面太阳能电池的制备方法。本发明在单晶硅前后表面均形成内建电场进行光生载流子分离,实现双面石墨烯太阳能电池,具有结构简单,效率高的特点,适合批量生产。
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公开(公告)号:CN113555469B
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202110825240.5
申请日:2021-07-21
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本申请公开了一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池,该方法包括在硅片的背面沉积隧穿氧化层;按照远离硅片的方向,在隧穿氧化层的表面依次交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层,形成层叠膜层;层叠膜层的最后一层为掺杂多晶硅层;激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子,并使掺杂原子向本征多晶硅层扩散,以使层叠膜层成为完整的掺杂型膜层,得到钝化接触结构。本申请中交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层形成层叠膜层,激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子,使掺杂原子向本征多晶硅层中扩散,使层叠膜层各处均掺杂有掺杂原子,由于层叠膜层中制备有本征多晶硅层,本征多晶硅层的沉积速度很快,所以在掺杂型膜层厚度相同的条件下,制备时间缩短。
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公开(公告)号:CN112713224A
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN202110066487.3
申请日:2021-01-19
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/06 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法。该基于P型硅片的太阳能电池片的制备方法,包括如下步骤:在制绒后的P型硅片的绒面上印刷图形化的铝浆,烧结而在所述P型硅片上形成铝掺杂区域;去除所述P型硅片上的由铝浆烧结后形成的铝电极;在所述P型硅片的绒面上制备正面介质层;在所述正面介质层上印刷银浆,且银浆的印刷位置和所述铝掺杂区域相对应,烧结使银浆烧穿所述正面介质层而形成和所述铝掺杂区域接触的正面电极。本发明的制备方法无需经过1000℃以上的高温来进行硼扩散,不会造成P型硅片体少子寿命衰减,能够提高电池转化效率。
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公开(公告)号:CN110634973A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201910920589.X
申请日:2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型晶硅太阳电池,包括:第一背面N型硅和背面N型硅,所述第一背面N型硅和所述背面N型硅交替设置连接,第一背面N型硅的磷掺杂浓度大于背面N型硅的磷掺杂浓度;在保证P型硅片正表面钝化效果的前提下,规避硼扩散工艺,简化制备流程,此外,还减小背面N型硅区域的复合速率,提高电池效率。
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