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公开(公告)号：CN112271221B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011090280.1
申请日：2020-10-13
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号：CN113555470A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110826671.3
申请日：2021-07-21
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224
Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，该方法包括获得正面依次层叠有钝化层和减反层的硅基体；对钝化层和减反层对应正电极的区域进行开孔；开孔深度等于钝化层和减反层的厚度之和；采用电镀法在开孔区域沉积铝形成铝电极，得到电池结构体；对电池结构体进行退火处理，铝电极和硅基体发生共晶反应，在硅基体对应铝电极的区域形成铝重掺杂区域；在硅基体的背面制备钝化接触结构和背电极，得到太阳能电池。本申请用电镀法在开孔区域沉积铝，通过退火时铝和硅发生共晶反应对硅基体进行局部重掺杂，无需复杂的掩膜工艺、高温扩散、高精度对准，制备过程简单，且不会影响硅基体的体少子寿命；铝电极宽度窄，减小对硅基体正面的遮光面积。
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公开(公告)号：CN112599635A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011422086.9
申请日：2020-12-08
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法。该制备方法包括：A、提供制绒后的P型硅片；B、对P型硅片进行扩散形成P型轻掺杂层；C、对P型轻掺杂层进行选择性的开槽，使P型硅片的局部正面露出；D、对步骤C处理后的P型硅片进行二次扩散，在P型硅片的对应开槽区域的部分中形成P型重掺杂部；E、在P型硅片的正面和背面分别制备正面介质层和背面介质层；F、在正面介质层上印刷正面浆料，且至少部分正面浆料位于P型重掺杂部的正上方；在背面介质层上印刷背面浆料；G、烧结，其中正面浆料穿透正面介质层而和P型重掺杂部接触。本发明提升了填充因子FF，降低了载流子的传输损耗，提高光电转化效率。
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公开(公告)号：CN112103278A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010781222.7
申请日：2020-08-06
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间刻蚀制备纳米截头锥孔周期阵列结构并形成p型掺杂层，在纳米截头锥孔内壁制备Ag薄膜反射层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明还公开了该电池的制备方法。本发明利用纳米截头锥孔周期阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
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公开(公告)号：CN111933727A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010832614.1
申请日：2020-08-18
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳电池背电极结构，包括电池片主体和设置在电池片主体背面的钝化介质层，还包括设置在钝化介质层的凹槽、覆盖凹槽且与电池片主体连接的第一铝栅线层以及多条设置在钝化介质层与第一铝栅线层连接的铝主栅线层。通过在电池片主体的背面的钝化介质层设置凹槽，在凹槽上覆盖设置第一铝栅线层，使得第一铝栅线层与电池片主体连接，由于第一铝栅线层仅仅是覆盖凹槽设置而不是覆盖整个钝化介质层设置，在烧结过程中铝硅界面附近液态铝中的硅向远离铝硅界面方向的扩散得到抑制，从而保持铝硅界面附近液态铝中的硅浓度在较高的水平，进而增加铝背表面场深度，抑制铝硅界面附近空洞的形成，提高电池光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110610998A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910904527.X
申请日：2019-09-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及制备方法，其电池正表面的整体复合速率进一步降低。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面，正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN113555469A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110825240.5
申请日：2021-07-21
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本申请公开了一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，该方法包括在硅片的背面沉积隧穿氧化层；按照远离硅片的方向，在隧穿氧化层的表面依次交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成层叠膜层；层叠膜层的最后一层为掺杂多晶硅层；激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，并使掺杂原子向本征多晶硅层扩散，以使层叠膜层成为完整的掺杂型膜层，得到钝化接触结构。本申请中交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层形成层叠膜层，激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，使掺杂原子向本征多晶硅层中扩散，使层叠膜层各处均掺杂有掺杂原子，由于层叠膜层中制备有本征多晶硅层，本征多晶硅层的沉积速度很快，所以在掺杂型膜层厚度相同的条件下，制备时间缩短。
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公开(公告)号：CN112103278B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010781222.7
申请日：2020-08-06
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间刻蚀制备纳米截头锥孔周期阵列结构并形成p型掺杂层，在纳米截头锥孔内壁制备Ag薄膜反射层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明还公开了该电池的制备方法。本发明利用纳米截头锥孔周期阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
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公开(公告)号：CN112271221A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011090280.1
申请日：2020-10-13
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号：CN110828583A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910904174.3
申请日：2019-09-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。本发明在减小非金属接触区域复合速率的同时，进一步减小金属接触区域的复合速率。
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