- 专利标题: 一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法
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申请号: CN202011090280.1申请日: 2020-10-13
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公开(公告)号: CN112271221B公开(公告)日: 2022-05-17
- 发明人: 刘玉申 , 况亚伟 , 张树德 , 洪学鹍 , 魏青竹 , 倪志春 , 王书昶 , 郝明辉 , 张德宝
- 申请人: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市常熟市南三环路99号;
- 专利权人: 常熟理工学院,苏州腾晖光伏技术有限公司
- 当前专利权人: 常熟理工学院,苏州腾晖光伏技术有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市常熟市南三环路99号;
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; H01L31/0236 ; H01L31/18 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层,包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜,所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小,所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法,以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜,由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率,通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率,且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
公开/授权文献
- CN112271221A 一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法 公开/授权日:2021-01-26
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