一种高性能的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113257932A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110517706.5

    申请日:2021-05-12

    Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种高性能的光电探测器制备方法,在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片,利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极,然后旋涂CsPbBr3纳米晶体,退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性,同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合,改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力,从而提高光电探测器的性能。

    一种高性能的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113257932B

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202110517706.5

    申请日:2021-05-12

    Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种高性能的光电探测器制备方法,在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片,利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极,然后旋涂CsPbBr3纳米晶体,退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性,同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合,改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力,从而提高光电探测器的性能。

    一种用于大数乘法的数论变换电路

    公开(公告)号:CN111221501B

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202010012148.2

    申请日:2020-01-07

    Abstract: 本发明公开了一种用于大数乘法的数论变换电路,包括主控单元,接收变换前数据并存储入主存,向地址生成单元发送数论变换开始信号;主存,存储数论变换前\中\后的数据;基16运算单元,实现16点的数论变换并存入第一随机存储器;地址生成单元,生成取数地址,将取数地址作为存储地址发送给转置及旋转因子相乘单元,生成旋转因子只读存储器地址发送给旋转因子只读存储器;转置及旋转因子相乘单元,读取第一随机存储器中矩阵,完成矩阵的转置,以及矩阵和旋转因子的点乘并根据存储地址将结果存入主存;旋转因子只读存储器读取旋转因子发送给转置及旋转因子相乘单元。本发明实现786432bits数字乘法的数论变换,提高运算利用率,节省电路逻辑及存储资源。

    一种单分散空心结构紫色Fe3O4@SiO2材料及制备方法

    公开(公告)号:CN111498911B

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202010323750.8

    申请日:2020-04-22

    Abstract: 本发明公开了一种单分散空心结构紫色Fe3O4@SiO2材料及制备方法,该材料在自然光下呈紫色,形貌为空心球结构,内部直径为195‑215 nm,壳层厚度为20‑15 nm,其尺寸分布均一,呈单分散性;以聚苯乙烯球为模板,通过简易的水热反应、SiO2层包覆和高温处理即可得到单分散空心结构紫色Fe3O4@SiO2材料,SiO2包覆有效保护和分散了Fe3O4材料,避免热处理过程中Fe3O4层的破碎及Fe3O4空心球之间的粘连。本发明使用的方法操作过程简单,原料易得,可大范围合成,并且该空心结构的米氏散射共振不受观察角度的影响,呈现明亮的紫色,稳定性优异,有望用于结构色器件的显示。

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