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公开(公告)号:CN112271221B
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202011090280.1
申请日:2020-10-13
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层,包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜,所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小,所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法,以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜,由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率,通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率,且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号:CN112103278A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010781222.7
申请日:2020-08-06
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的硅基叠层太阳能电池,包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构,底电池结构包括n型单晶硅衬底,n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层,中间刻蚀制备纳米截头锥孔周期阵列结构并形成p型掺杂层,在纳米截头锥孔内壁制备Ag薄膜反射层,n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层;顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明还公开了该电池的制备方法。本发明利用纳米截头锥孔周期阵列优异的光捕获能力,同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率,在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
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公开(公告)号:CN112103278B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202010781222.7
申请日:2020-08-06
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的硅基叠层太阳能电池,包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构,底电池结构包括n型单晶硅衬底,n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层,中间刻蚀制备纳米截头锥孔周期阵列结构并形成p型掺杂层,在纳米截头锥孔内壁制备Ag薄膜反射层,n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层;顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明还公开了该电池的制备方法。本发明利用纳米截头锥孔周期阵列优异的光捕获能力,同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率,在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
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公开(公告)号:CN112271221A
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN202011090280.1
申请日:2020-10-13
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层,包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜,所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小,所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法,以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜,由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率,通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率,且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号:CN113948630B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202111210789.X
申请日:2021-10-18
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H10N10/01 , H10N10/856 , H10N10/851
Abstract: 本发明公开了一种VNxOy/V2O3纳米颗粒与PEDOT:PSS有机无机热电复合薄膜的方法,借助熔盐法以三聚氰胺与五氧化二钒为前驱体制备出VNxOy/V2O3纳米颗粒,将VNxOy/V2O3纳米颗粒粉末与PEDOT:PSS混合,制备出热电性能极佳的有机无机热电纳米复合薄膜,电导率达到了8278.4S/cm,105摄氏度时塞贝克系数达到了48.8μV/K,功率因子达到了1995.7μWm‑1K‑2。
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公开(公告)号:CN113257932A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110517706.5
申请日:2021-05-12
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种高性能的光电探测器制备方法,在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片,利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极,然后旋涂CsPbBr3纳米晶体,退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性,同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合,改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力,从而提高光电探测器的性能。
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公开(公告)号:CN117225452A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311529663.8
申请日:2023-11-16
Applicant: 常熟理工学院
IPC: B01J27/24 , B01D53/86 , B01D53/62 , B01J23/755 , B01J37/00 , B01J35/00 , B01J35/08 , B01J35/02 , B01J37/08 , B01J37/30 , C01B32/40
Abstract: 本发明公开了一种中空结构TiN‑Ni光热催化剂及其制备方法和应用,涉及光热催化技术领域。该材料是以氮化钛作为载体负载非贵金属镍的光热催化剂,具有中空结构,内部直径为200‑400 nm,壳层厚度20‑30 nm,Ni颗粒均匀负载在中空TiN结构表面。所述制备方法是通过离子交换法在中空结构TiO2表面负载镍,再依次在空气和氨气中高温处理得到中空结构TiN‑Ni光热催化剂,该催化剂可高效用于太阳能的光热转换,且在光热催化还原二氧化碳反应中表现出优异的催化活性和一氧化碳高选择性。
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公开(公告)号:CN113257932B
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202110517706.5
申请日:2021-05-12
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种高性能的光电探测器制备方法,在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片,利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极,然后旋涂CsPbBr3纳米晶体,退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性,同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合,改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力,从而提高光电探测器的性能。
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公开(公告)号:CN111221501B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202010012148.2
申请日:2020-01-07
Applicant: 常熟理工学院
Abstract: 本发明公开了一种用于大数乘法的数论变换电路,包括主控单元,接收变换前数据并存储入主存,向地址生成单元发送数论变换开始信号;主存,存储数论变换前\中\后的数据;基16运算单元,实现16点的数论变换并存入第一随机存储器;地址生成单元,生成取数地址,将取数地址作为存储地址发送给转置及旋转因子相乘单元,生成旋转因子只读存储器地址发送给旋转因子只读存储器;转置及旋转因子相乘单元,读取第一随机存储器中矩阵,完成矩阵的转置,以及矩阵和旋转因子的点乘并根据存储地址将结果存入主存;旋转因子只读存储器读取旋转因子发送给转置及旋转因子相乘单元。本发明实现786432bits数字乘法的数论变换,提高运算利用率,节省电路逻辑及存储资源。
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公开(公告)号:CN111498911B
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202010323750.8
申请日:2020-04-22
Applicant: 常熟理工学院
Abstract: 本发明公开了一种单分散空心结构紫色Fe3O4@SiO2材料及制备方法,该材料在自然光下呈紫色,形貌为空心球结构,内部直径为195‑215 nm,壳层厚度为20‑15 nm,其尺寸分布均一,呈单分散性;以聚苯乙烯球为模板,通过简易的水热反应、SiO2层包覆和高温处理即可得到单分散空心结构紫色Fe3O4@SiO2材料,SiO2包覆有效保护和分散了Fe3O4材料,避免热处理过程中Fe3O4层的破碎及Fe3O4空心球之间的粘连。本发明使用的方法操作过程简单,原料易得,可大范围合成,并且该空心结构的米氏散射共振不受观察角度的影响,呈现明亮的紫色,稳定性优异,有望用于结构色器件的显示。
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