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公开(公告)号：CN113912023B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111173406.6
申请日：2021-10-08
Applicant: 常熟理工学院
IPC: C01B19/00 , C01B32/05 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种钠离子电池负极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将壳聚糖溶解于冰醋酸、去离子水混合溶液中，搅拌；步骤二，将过渡金属氰酸盐超声溶解于去离子水中，然后加入到步骤一的溶液中，得到过渡金属氰酸盐溶液；步骤三，将过渡金属氰酸盐溶液超声分散后，迅速进行冷冻干燥，得到前驱体；步骤四，将前驱体在600～700℃烧结，清洗，真空干燥；步骤五，将步骤四所得物与硒粉在300～400℃混合烧结，得到氮掺杂多孔碳过渡金属硒化物钠离子电池负极材料。本发明制备方法操作简单，成本较低；所制得的氮掺杂多孔碳过渡金属硒化物钠离子电池负极材料，循环性能高，倍率性能好。
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公开(公告)号：CN113257932B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110517706.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr3纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。
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公开(公告)号：CN113912023A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111173406.6
申请日：2021-10-08
Applicant: 常熟理工学院
IPC: C01B19/00 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种钠离子电池负极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将壳聚糖溶解于冰醋酸、去离子水混合溶液中，搅拌；步骤二，将过渡金属氰酸盐超声溶解于去离子水中，然后加入到步骤一的溶液中，得到过渡金属氰酸盐溶液；步骤三，将过渡金属氰酸盐溶液超声分散后，迅速进行冷冻干燥，得到前驱体；步骤四，将前驱体在600～700℃烧结，清洗，真空干燥；步骤五，将步骤四所得物与硒粉在300～400℃混合烧结，得到氮掺杂多孔碳过渡金属硒化物钠离子电池负极材料。本发明制备方法操作简单，成本较低；所制得的氮掺杂多孔碳过渡金属硒化物钠离子电池负极材料，循环性能高，倍率性能好。
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公开(公告)号：CN109935814A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910196580.9
申请日：2019-03-15
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01M4/36 , H01M4/50 , H01M4/52 , H01M4/62 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种基于硅微通道板的钠离子电池负极材料的制备方法，包括预处理：将硅微通道板浸泡在BHF腐蚀液中；化学镀镍：将清洗后的硅微通道板放入化学镀镍溶液中，进行化学镀多孔镍形成镀镍硅微通道板；电镀镍：将镀镍硅微通道板放入电镀镍溶液中，通电进行电镀镍形成宏孔导电网络；溶剂热渗碳：将表面活性剂浸泡后的宏孔导电网络放入装有多元醇和钠盐催化剂的水热反应釜中反应；退火：将渗碳后的宏孔导电网络在管式炉中退火形成石墨烯微通道板；水热制备多元氧化物：将石墨烯微通道板投入装有锰源、镍源和钴源溶剂的反应釜中反应；退火：将所得材料放入管式炉。本发明提高了石墨烯复合二元过渡金属氧化物的有效界面，且简单易行成本低廉。
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公开(公告)号：CN104952961B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510338445.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L31/07 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，包括依次叠置的衬底、背电极、半导体薄膜层、绝缘层、前电极和石墨烯层，所述绝缘层和前电极设有通孔，所述石墨烯层通过所述通孔与半导体薄膜层表面接触形成肖特基结，所述半导体薄膜层为n型CdSxSe1-x半导体薄膜，其中0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113410320A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110568736.9
申请日：2021-05-25
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种宽光谱响应光电探测器的制备方法，首先在硅基衬底制备二维层状MoS2纳米片，利用光刻/剥离技术沉积上一层金属电极，然后旋涂PbSe量子点，退火处理后得到PbSe量子点/二维层状MoS2纳米片异质结光电探测器。本发明通过利用室温下一步法直接合成的PbSe量子点与机械剥离法获得的二维层状MoS2材料之间的相互协同作用，拓宽二维MoS2纳米片的光谱响应范围并提升异质结界面处的载流子传输能力，从而提升光电探测器的性能。
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公开(公告)号：CN113257932A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110517706.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr3纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。
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公开(公告)号：CN109256285A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811084350.5
申请日：2018-09-18
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01G11/86
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器电极的制备方法，包括以下步骤：S1、将清洗干净的泡沫镍置于含有铜离子的溶液中进行浸泡；S2、在乙二醇溶液中溶解分散含有硫元素的试剂；S3、将步骤S1浸泡后的泡沫镍放入步骤S2得到的含有硫元素的乙二醇溶液中；S4、将S3得到的混合物置于微波反应装置中进行微波反应，反应完成得到NiSx基超级电容器电极。本发明方法基于一步法制备超级电容器电极，获得的电极材料比电容高，制备过程简单，耗时短，成本低。
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公开(公告)号：CN106409961B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611046428.5
申请日：2016-11-23
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/078 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池，包括由上至下依次叠置的CdSSe薄膜顶电池、隧穿层和晶体硅底电池，所述隧穿层为单层或双层氧化物结构，所述单层氧化物结构材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物结构的上层材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物的下层材质为Al2O3或SiO2。本发明还公开了这种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池的制备方法。该n‑Si/CdSSe叠层太阳电池可减少两电池界面处电流复合损失，并保证顶电池在厚度比较薄的情况下的电流输出。
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公开(公告)号：CN106469763A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610971063.0
申请日：2016-11-04
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L31/0687 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种p型晶体硅/Cu2ZnSnS4叠层太阳电池，包括层叠的晶体硅底电池和Cu2ZnSnS4薄膜顶电池，所述晶体硅底电池包括从下到上依次层叠的背电极、p型晶体硅基底和n型晶体硅发射极，所述Cu2ZnSnS4薄膜顶电池包括下到上依次层叠的Cu2ZnSnS4吸收层、缓冲层、窗口层、减反射层和顶电极，所述吸收层层叠在n型晶体硅发射极上。提高了现有p型晶体硅太阳电池的光电转换效率，同时可以有效避免其它薄膜太阳电池与晶体硅太阳电池形成叠层结构时由于晶格失配所产生的过多界面态。
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