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公开(公告)号：CN110610998A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910904527.X
申请日：2019-09-24
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及制备方法，其电池正表面的整体复合速率进一步降低。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面，正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN110828583B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910904174.3
申请日：2019-09-24
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。本发明在减小非金属接触区域复合速率的同时，进一步减小金属接触区域的复合速率。
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公开(公告)号：CN110634983A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920590.2
申请日：2019-09-26
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有正面N型硅，所述P型硅基体与所述正面N型硅连接形成浮动结；采用浮动结作为正面的钝化结构，在保证正面钝化效果的前提下，一方面简化制备流程，另一方面规避了硼扩散的高温对P型硅基体少子寿命的影响，提高了电池的效率。
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公开(公告)号：CN108321238A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810214013.7
申请日：2018-03-15
申请人： 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/0725 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种石墨烯双面太阳能电池，包括n型单晶硅，所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上设置石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极；所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅，所述n+型多晶硅表面设置光学减反层，所述光学减反层表面设置背栅线电极。本发明还公开了石墨烯双面太阳能电池的制备方法。本发明在单晶硅前后表面均形成内建电场进行光生载流子分离，实现双面石墨烯太阳能电池，具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN108321221B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201810308774.9
申请日：2018-04-09
申请人： 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/054 , H01L31/0745 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种具有微腔结构的石墨烯太阳能电池，包括n型单晶硅，所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置第一石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的区域的第一石墨烯薄膜层表面设置氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜表面设置第二石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的第一石墨烯薄膜层表面设置前电极，所述n型单晶硅的另一面设置金属薄膜背电极。本发明利用石墨烯/氮化硅/石墨烯微腔的调控光子吸收效率，实现石墨烯硅基太阳能电池转换效率电池的提高，具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN110634964B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109742243A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910156062.4
申请日：2019-03-01
申请人： 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本发明还公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池的制备方法。本发明利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN110828583A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910904174.3
申请日：2019-09-24
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。本发明在减小非金属接触区域复合速率的同时，进一步减小金属接触区域的复合速率。
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公开(公告)号：CN110634964A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109742242A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910156029.1
申请日：2019-03-01
申请人： 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种宽光谱纳米阵列探测器，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本发明还公开了一种宽光谱纳米阵列探测器的制备方法。本发明利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围，在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。
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