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    一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法
    6.
    发明公开
    一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114188438A

    公开(公告)日：2022-03-15

    申请号：CN202111385168.5

    申请日：2021-11-22

    申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  山东腾晖新能源技术有限公司

    发明人： 钱洪强 ,  张树德 ,  原庆东 ,  蔡霞 ,  周海龙 ,  荆蓉蓉

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068

    摘要： 本发明涉及一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法，属于电池制备技术领域。生产钝化接触晶硅电池步骤中首先进行切割步骤，将硅片分成至少两片分片、和/或在硅片表面切割形成切割槽。本发明提供的一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池的制备方法，将对电池的切割工序优化改变成对硅片的切割，设置到钝化接触电池生产工序之前，从根源上解决了电池片的切割损失。通过背面处理工艺步骤和正面钝化及背面钝化等步骤对切割面进行化学腐蚀修复和钝化修复，使得切割面被包裹在钝化层中，杜绝与空气的接触，解决了边缘切割损失，避免了电池少子寿命的降低，提升电池转换效率的同时增加封装的组件功率输出。

    一种MWT电池背铝电极
    7.
    发明授权
    一种MWT电池背铝电极 有权

    公开(公告)号：CN114220875B

    公开(公告)日：2024-10-15

    申请号：CN202111469319.5

    申请日：2021-12-03

    申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司

    发明人： 张树德 ,  钱洪强 ,  周海龙 ,  荆蓉蓉 ,  张俊巍 ,  王展

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  B41F15/36

    摘要： 一种MWT电池背铝电极及印刷网板，包括晶硅板、印刷网板，所述晶硅板背部设置有背铝电极，所述背铝电极电性连接有数个阵列的背银电极，所述晶硅板阵列设置有数个贯穿所述晶硅板的填孔电极，所述填孔电极与所述背银电极等间隔设置，所述背铝电极设置有所述印刷网板，其中，所述背铝电极对应所述填孔电极外周的位置一体成型有凸起部，所述凸起部的厚度等于所述填孔电极的厚度，所述印刷网板对应所述凸起部的位置设置有断丝部。本申请通过在背铝电极上设置数个与填孔电极外周相对的凸起部来缩减或消逝与填孔电极之间的厚度差，增大了在数块晶硅板需要堆叠设置时相互之间的接触面积，降低了晶硅板上正面电极被划伤和断栅的风险。

    基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法
    8.
    发明授权
    基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN109494274B

    公开(公告)日：2024-10-15

    申请号：CN201811528490.7

    申请日：2018-12-13

    申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  南京航空航天大学

    发明人： 张树德 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  钱洪强 ,  连维飞 ,  胡党平 ,  王泽辉

    IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

    摘要： 本发明公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法，其中，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。

    一种高效异质结电池结构及其制备方法
    9.
    发明授权
    一种高效异质结电池结构及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN114695588B

    公开(公告)日：2024-08-06

    申请号：CN202011643595.4

    申请日：2020-12-30

    申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司

    发明人： 赵保星 ,  张树德 ,  符欣 ,  连维飞 ,  魏青竹 ,  倪志春

    IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/20 ,  H01L21/30

    摘要： 本发明涉及了一种高效异质结电池结构及其制备方法，高效异质结电池结构包括：中间电池结构，设有n型单晶硅层；正面电池结构，包括依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层；以及背面电池结构，包括相反方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层；其中，p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1～5nm，p型掺杂氢化氧化硅层、n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10～20nm。通过上述设置，可解决现有的异质结电池结构中由于掺杂非晶硅层的厚度与性能两者矛盾对立导致的电池转换效率低的问题。

    用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法
    10.
    发明授权
    用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法 有权

    公开(公告)号：CN109968799B

    公开(公告)日：2024-07-30

    申请号：CN201910355371.4

    申请日：2019-04-29

    申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司

    发明人： 连维飞 ,  张树德 ,  胡党平 ,  魏青竹 ,  倪志春

    IPC分类号： B41F15/36 ,  B41M1/12 ,  B41M1/26 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，其中，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。