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公开(公告)号：CN1708602A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02830018.1
申请日：2002-12-10
申请人： ETC外延技术中心有限公司
CPC分类号： C30B25/10 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C30B25/12 , C30B31/14 , C30B35/00 , F27B14/061 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67784 , H01L21/6838 , H01L21/68714
摘要： 本发明涉及一种用于处理基片和/或晶片的装置的感受器系统，该感受器系统设有空腔(1)，该空腔(1)作为用于处理基片和/或晶片的腔室，且该空腔(1)沿纵向方向延伸，并由上部壁(2)、下部壁(3)、右侧壁(4)和左侧壁(5)来界定，上部壁(2)由至少一个适用于通过电磁感应加热的导电材料部件而构成，下部壁(3)由至少一个适用于通过电磁感应加热的导电材料部件而构成，右侧壁(4)由至少一个惰性、耐火和电绝缘材料部件而构成，左侧壁(5)由至少一个惰性、耐火和电绝缘材料部件而构成，这样，上部壁(2)的部件与下部壁(3)的部件电绝缘。
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公开(公告)号：CN101023198A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580029175.4
申请日：2005-07-12
申请人： LPE公司 , ETC外延技术中心有限公司
CPC分类号： B08B7/00 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/46
摘要： 本发明涉及一种清洗CVD反应器的反应室(12)的方法，所述方法包括如下步骤：加热室壁至合适的温度，并向室内引入气流；该清洗方法可以有利地用于CVD反应器的操作方法中用于在室内向基质上沉积半导体材料；这种操作方法设想了一种包含如下步骤的生长方法：依次和循环向室(12)内装载基质、向基质上沉积半导体材料和从室(12)卸载基质；在卸载后进行清洗室(12)的方法。本发明还涉及与加热一起清洗整个CVD反应器的方法，其设想在气流中存在化学蚀刻组分。
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公开(公告)号：CN100529198C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200480010497.X
申请日：2004-06-09
申请人： ETC外延技术中心有限公司
IPC分类号： C30B25/12 , C23C16/458
CPC分类号： C30B25/12
摘要： 本发明公开了一种用于能够处理基片和/或晶片的装置的支承系统(1)，所述系统包括具有基本平坦表面的固定基件(10)，在平坦表面上形成有带有基本平坦底部的基本圆柱形的支座(11)，以及可动的支承件(20)，其具有基本为盘形的形状，置于所述支座(11)内，能够围绕支座(11)的轴线进行旋转并具有基本平坦的底面和设置有至少一个用于基片或晶片的凹穴(21)的基本平坦的顶面；以及一个或多个气流的一个或多个通道(12)，其中所述通道(12)按照倾斜并优选为相对于所述轴线偏斜的方向设置在支座(11)内，以便抬起并旋转所述支承件(20)。
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公开(公告)号：CN1714169A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03825587.1
申请日：2003-06-11
申请人： ETC外延技术中心有限公司
IPC分类号： C23C16/46 , C30B25/12 , C30B25/10 , C30B31/12 , H05B6/02 , F27B14/06 , H01L21/00 , C23C16/458
CPC分类号： C30B25/10 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C30B25/12 , C30B31/14 , C30B35/00 , F27B14/061 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67784 , H01L21/6838 , H01L21/68714
摘要： 本发明介绍了一种系统，用于处理基片和/或晶片的装置，该系统包括：静止基座元件(600)以及用于至少一个基片或至少一个晶片的活动支承件(610)，该支承件可在该元件(600)上面绕静止轴线旋转；腔室(610)；以及至少一个导管，用于允许至少一个气流通向腔室，以便升高该支承件(610)；系统还包括用于将气体进入腔室的流动转变成支承件的旋转的装置。
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公开(公告)号：CN1777707A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010497.X
申请日：2004-06-09
申请人： ETC外延技术中心有限公司
IPC分类号： C30B25/12 , C23C16/458
CPC分类号： C30B25/12
摘要： 本发明公开了一种用于能够处理基片和/或晶片的装置的支承系统(1)，所述系统包括具有基本平坦表面的固定基件(10)，在平坦表面上形成有带有基本平坦底部的基本圆柱形的支座(11)，以及可动的支承件(20)，其具有基本为盘形的形状，置于所述支座(11)内，能够围绕支座(11)的轴线进行旋转并具有基本平坦的底面和设置有至少一个用于基片或晶片的凹穴(21)的基本平坦的顶面；以及一个或多个气流的一个或多个通道(12)，其中所述通道(12)按照倾斜并优选为相对于所述轴线偏斜的方向设置在支座(11)内，以便抬起并旋转所述支承件(20)。
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公开(公告)号：CN100507073C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN02830017.3
申请日：2002-12-10
申请人： ETC外延技术中心有限公司
CPC分类号： F27B14/14 , C23C16/46 , C30B25/12 , C30B31/14 , F27B14/061 , F27B17/0025 , H01L21/67109
摘要： 本发明涉及一种感受器系统，用于处理基片和/或晶片的装置，该感受器系统提供有由至少两个壁界定的处理腔室(1)，并有至少一个加热螺线管(9)；该感受器系统包括至少一个感受器元件(2、3)，该感受器元件由外表面界定，并由适于通过电磁感应加热的导电材料制成；感受器元件(2、3)为空心的，且该感受器元件(2、3)的外表面的第一部分适于作为处理腔室(1)的壁，而该感受器元件(2、3)的外表面的第二部分适于布置成靠近加热螺线管(9)。
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公开(公告)号：CN1708601A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02830017.3
申请日：2002-12-10
申请人： ETC外延技术中心有限公司
CPC分类号： F27B14/14 , C23C16/46 , C30B25/12 , C30B31/14 , F27B14/061 , F27B17/0025 , H01L21/67109
摘要： 本发明涉及一种感受器系统，用于处理基片和/或晶片的装置，该感受器系统提供有由至少两个壁界定的处理腔室(1)，并有至少一个加热螺线管(9)；该感受器系统包括至少一个感受器元件(2、3)，该感受器元件由外表面界定，并由适于通过电磁感应加热的导电材料制成；感受器元件(2、3)为空心的，且该感受器元件(2、3)的外表面的第一部分适于作为处理腔室(1)的壁，而该感受器元件(2、3)的外表面的第二部分适于布置成靠近加热螺线管(9)。
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