公开(公告)号：CN101023198A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580029175.4

申请日：2005-07-12

申请人： LPE公司 ,  ETC外延技术中心有限公司

发明人： S·莱昂内 ,  M·毛切里 ,  G·阿邦丹扎 ,  D·克里帕 ,  G·瓦伦特 ,  M·马西 ,  F·普雷蒂

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/44

CPC分类号： B08B7/00 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/46

摘要： 本发明涉及一种清洗CVD反应器的反应室(12)的方法，所述方法包括如下步骤：加热室壁至合适的温度，并向室内引入气流；该清洗方法可以有利地用于CVD反应器的操作方法中用于在室内向基质上沉积半导体材料；这种操作方法设想了一种包含如下步骤的生长方法：依次和循环向室(12)内装载基质、向基质上沉积半导体材料和从室(12)卸载基质；在卸载后进行清洗室(12)的方法。本发明还涉及与加热一起清洗整个CVD反应器的方法，其设想在气流中存在化学蚀刻组分。