一种TOPCon电池结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN118380497B

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410806978.0

    申请日:2024-06-21

    摘要: 本发明公开了一种TOPCon电池结构及其制备方法,属于TOPCon电池领域,包括硅基体,其正面由内到外依次是p+发射极、氧化铝介质层、正面减反射层和正面导电金属电极;其背面由内而外依次是超薄隧穿氧化层、背面掺杂多晶硅层、氧化介质层、背面减反射层和背面导电金属电极。本发明的有益效果是:在掺杂多晶硅层和背面减反射层之间引入一层无机氧化层,对掺杂多晶硅层起到场钝化效果,且通过激光开槽形成局部接触,可进一步将磷或硼掺入多晶硅层,提升钝化效果,且氧化层可降低多晶硅薄膜表面少子复合;同时可将掺杂多晶硅层的厚度降低,有利于电流的提升。

    IBC电池的背面结构、IBC电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN118398697B

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410810030.2

    申请日:2024-06-21

    摘要: 本发明公开了IBC电池的背面结构、IBC电池及其制备。本发明提供的IBC电池的背面结构包括基区硅片、设置于所述基区硅片背面的介质层、层叠设置于所述介质层的钝化层、第一发射极以及第一金属电极、第二发射极以及第二金属电极,以及设置于所述第一发射极与所述第二发射极之间的所述隔离区,使所述第一发射极与第二发射极之间形成包含有钝化层、介质层的隔离。所述隔离区的设计,能够大幅降低电池的漏电值,从而降低热斑发生的风险;能有效提升电池的钝化能力,最终有效的提高太阳能电池的转换效率。

    一种解决Topcon太阳能电池烧结EL污染的方法

    公开(公告)号:CN118454346A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410549684.4

    申请日:2024-05-06

    IPC分类号: B01D46/00 H01L31/18 F27D7/02

    摘要: 本发明公开了一种解决Topcon太阳能电池烧结EL污染的方法,压缩空气经空气过滤装置后进入高温烧结炉腔内的气场中,其中,空气过滤装置包括若干级过滤器,且最后一级过滤器的过滤精度不大于0.1μm。在压缩气体进入高温烧结炉腔气场前经过一气体过滤装置‑空气过滤器,经过该装置过滤后的气体中大于0.1μm粒径的杂质颗粒物会被过滤掉,过滤洁净的气体再进入烧结气场,避免了对烧结气场的污染,从而解决烧结EL污染问题。

    一种新型TOPCon电池片及其制备方法

    公开(公告)号:CN118367036A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410481696.8

    申请日:2024-04-19

    发明人: 徐顺波 李洋洋

    摘要: 本发明公开涉及一种新型TOPCon电池片及其制备方法,该电池片包括:N型电池片基体、P型掺杂层、钝化层、第一氮化硅减反膜层、正面浆料电极、氮化钛、氧化硅遂穿层、N‑Poly层、第二氮化硅减反膜层和背面浆料电极;P型掺杂层位于该N型电池片基体的正面,钝化层与P型掺杂层接触,第一氮化硅减反膜层与钝化层接触;氧化硅遂穿层位于N型电池片基体的背面且与N型电池片基体接触,N‑Poly层与氧化硅遂穿层接触,第二氮化硅减反膜层与N‑Poly层相接触;氮化钛与P型掺杂层接触,正面浆料电极与氮化钛接触,背面浆料电极与N‑Poly层接触。能够通过浆料与半导体间接接触的结构来降低接触电阻,进而达到提升电池片的光电转换效率的效果。

    一种太阳能电池组件及其双面制绒的TOPCon结构电池

    公开(公告)号:CN118281092A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410366248.3

    申请日:2023-12-14

    发明人: 宋怡潇

    摘要: 本申请公开了一种太阳能电池组件及其双面制绒的TOPCon结构电池,属于太阳能电池技术领域,其中太阳能电池组件包括若干TOPCon结构电池片串联而成,还包括支架以及连接件,支架设置在太阳能电池组件一侧,支架远离太阳能电池组件的一侧设有连接件,TOPCon结构电池片为双面制绒的TOPCon结构电池,其硅片靠近发射极的第一面具有第一绒面结构,硅片靠近隧穿氧化层的第二面具有第二绒面结构,第一绒面结构和第二绒面结构均包含若干四方锥体绒面凸起,第一绒面结构的四方锥体的平均尺寸小于第二绒面结构的四方锥体的平均尺寸。本申请的有益之处在于提供了一种能够保持钝化效果的同时增加光trap效果且电池背面不漏电的太阳能电池组件。

    一种N-TOPCon电池的制作方法

    公开(公告)号:CN117199186B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202311267884.2

    申请日:2023-09-27

    摘要: 本申请公开了一种N‑TOPCon电池的制作方法,充分利用了N‑TOPCon电池的钝化及接触技术,在现有的多晶硅结构上,在N型硅基底背面的发射电极区域用激光加热和氧化形成稳定厚度且致密的隧穿氧化硅层,这种方法可以在短时间内完成表面氧化处理,而且可以控制氧化硅层的厚度和均匀性,再搭配多晶硅和P扩,从而得到一个比较稳定高效的隧穿及接触结构,从而能稳定的提升效率。本发明氧化硅层仅设置在发射电极区域,能实现选择性多晶硅接触,电池转换效率提升空间非常大。

    光伏组件及其TOPCon电池的正面结构、TOPCon电池与制备

    公开(公告)号:CN117525214A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202410014075.9

    申请日:2024-01-05

    摘要: 本发明属于光伏模块的支撑结构技术领域,具体涉及光伏组件及其TOPCon电池的正面结构、TOPCon电池与制备。所述光伏组件包括支撑件,所述支撑件包括相对设置的上、下支撑板,设置于所述上、下支撑板之间的斜形板一、二,设置于下支撑板与斜形板一之间的斜形板三,设置于下支撑板与斜形板二之间的斜形板四;所述上支撑板与斜形板一、斜形板二三者形成三角支撑,所述下支撑板与所述斜形板一、斜形板三三者形成三角支撑,所述下支撑板与所述斜形板二、斜形板四三者形成三角支撑,能够有效提高支撑稳定性。

    一种N-TOPCon电池的制作方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117199190A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311273569.0

    申请日:2023-09-27

    摘要: 本申请公开了一种N‑TOPCon电池的制作方法,充分利用了N‑TOPCon电池的钝化及接触技术,在现有的多晶硅结构上,在N型硅基底背面用激光加热和氧化形成稳定厚度且致密的隧穿氧化硅层,这种方法可以在短时间内完成表面氧化处理,而且可以控制氧化硅层的厚度和均匀性,再搭配多晶硅和P扩,从而得到一个比较稳定高效的隧穿及接触结构,从而能稳定的提升效率。本发明未用到昂贵材料或复杂工艺方法,故有较大的量产实用性,对提升效率具有明显效果,大大的降低了生产成本。