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公开(公告)号：CN112585183B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201980052835.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种聚异氰脲酸酯原料组合物，其包含多官能异氰酸酯、下述式(I)所示的化合物(I)、和环氧化合物。在式(I)中，R1～R5表示氢原子、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的烷基(在R3～R5的情况下为碳原子数1～10的烷基)、碳原子数6～12的芳基、氨基、碳原子数1～10的单烷基氨基、碳原子数2～20的二烷基氨基、羧基、氰基、碳原子数1～10的氟代烷基、或卤原子(R1和R2不同时为氢原子)。
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公开(公告)号：CN114730395A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079996.3
申请日：2020-11-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 可提高机器学习的精度。具备：根据第一学习模型将数据分类为可分类数据和未知类别数据的第一分类部；向所述可分类数据添加标签的第一添加部；根据第二学习模型对所述未知类别数据进行分类的第二分类部；获取应添加至所述未知类别数据的标签的标签获取部；向所述未知类别数据添加标签的第二添加部；及、根据被添加了所述标签的所述未知类别数据更新所述第二学习模型的第二学习模型更新部，所述标签是根据所述第二分类部分类后的结果和所述标签获取部获取到的标签而被添加至所述未知类别数据的。
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公开(公告)号：CN113906071A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080013490.2
申请日：2020-02-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种聚异氰脲酸酯原料组合物，其包含多官能异氰酸酯、下述式(I)所示的化合物(I)、和环氧化合物。在式(I)中，R1和R2表示氢原子。R3～R5各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷氧基、氨基、碳原子数1～10的单烷基氨基、或碳原子数2～20的二烷基氨基。各3个R3～R5分别可以相同，也可以不同。其中，各3个R3～R5之中，至少1个为氨基、碳原子数1～10的单烷基氨基、或碳原子数2～20的二烷基氨基。
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公开(公告)号：CN111819441A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017349.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种聚合物的物理性质预测装置，包括：局部结构数量计算部，从存储部读入通过重复来构成聚合物的结构单位，并使用该结构单位计算该聚合物的局部结构的数量；原子数计算部，计算所述结构单位的原子数；局部结构数量密度计算部，根据所述局部结构的数量和所述结构单位的原子数计算该局部结构的数量密度；回归模型构建部，使用从所述存储部获得的所述聚合物的物理性质的实验值和所述局部结构的数量密度，构建用于预测物理性质值的回归模型；聚合物结构输入部，输入要预测所述物理性质值的聚合物结构；以及聚合物物理性质预测部，使用所述回归模型，预测与输入的所述聚合物结构对应的所述物理性质值。
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公开(公告)号：CN111321464A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911232930.9
申请日：2019-12-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种SiC外延生长装置。本实施方式所涉及的SiC外延生长装置具备：载置台，其載置SiC晶片；和炉体，其覆盖上述载置台，上述炉体具有：侧壁部；和顶部，其具有向上述炉体内供给原料气体的气体供给口，并覆盖上述气体供给口的周围，位于上述载置台的上方，上述顶部的内表面的放射率比上述侧壁部的内表面的放射率低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111279331A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069051.6
申请日：2018-10-30
IPC: G06F16/30 , G06F16/00 , G06F40/216 , G06F40/30
Abstract: 因果句解析装置具备：因果句提取部，其从文章提取包含原因表现和结果表现的因果句；取得部，其取得表示基准表现的信息，所述基准表现是用于对相似的程度进行解析的基准；相似度解析部，其针对所述因果句提取部提取到的因果句，算出原因相似度和结果相似度，所述原因相似度是该因果句所包含的原因表现与所述基准表现的相似度，所述结果相似度是该因果句所包含的结果表现与所述基准表现的相似度；以及期望因果句提取部，其提取所述因果句所包含的原因表现和结果表现中的一方与所述基准表现相似、且另一方与所述基准表现不相似的因果句。
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公开(公告)号：CN109841541A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811380345.9
申请日：2018-11-20
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触，所述辐射构件的辐射率比所述基座高，从所述加热器观察时所述辐射构件的一部分露出。
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公开(公告)号：CN109841541B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201811380345.9
申请日：2018-11-20
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触，所述辐射构件的辐射率比所述基座高，从所述加热器观察时所述辐射构件的一部分露出。
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公开(公告)号：CN111321464B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201911232930.9
申请日：2019-12-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种SiC外延生长装置。本实施方式所涉及的SiC外延生长装置具备：载置台，其載置SiC晶片；和炉体，其覆盖上述载置台，上述炉体具有：侧壁部；和顶部，其具有向上述炉体内供给原料气体的气体供给口，并覆盖上述气体供给口的周围，位于上述载置台的上方，上述顶部的内表面的放射率比上述侧壁部的内表面的放射率低。
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公开(公告)号：CN111819441B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201980017349.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种聚合物的物理性质预测装置、存储介质、及聚合物的物理性质预测方法，包括：局部结构数量计算部，从存储部读入通过重复来构成聚合物的结构单位，并使用该结构单位计算该聚合物的局部结构的数量；原子数计算部，计算所述结构单位的原子数；局部结构数量密度计算部，根据所述局部结构的数量和所述结构单位的原子数计算该局部结构的数量密度；回归模型构建部，使用从所述存储部获得的所述聚合物的物理性质的实验值和所述局部结构的数量密度，构建用于预测物理性质值的回归模型；聚合物结构输入部，输入要预测所述物理性质值的聚合物结构；以及聚合物物理性质预测部，使用所述回归模型，预测与输入的所述聚合物结构对应的所述物理性质值。
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