公开(公告)号：CN109841541A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811380345.9

申请日：2018-11-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触，所述辐射构件的辐射率比所述基座高，从所述加热器观察时所述辐射构件的一部分露出。

公开(公告)号：CN109841542A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811380441.3

申请日：2018-11-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C30B29/36 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；和加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置，在与所述加热器的所述基座侧的第1面相对的所述基座的被辐射面形成有凹凸。

公开(公告)号：CN109841541B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201811380345.9

申请日：2018-11-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触，所述辐射构件的辐射率比所述基座高，从所述加热器观察时所述辐射构件的一部分露出。