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公开(公告)号：CN110878427B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910751559.0
申请日：2019-08-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够抑制升华了的原料气体在原料表面再结晶化、并抑制在晶体生长的单晶内发生异种多形的单晶生长方法。该单晶生长方法包括：在具备用于收纳原料的内底部以及与所述内底部相对的晶体设置部的坩埚中，在所述内底部收纳原料的收纳工序；在所述收纳工序之后，从所述晶体设置部俯视，由金属碳化物粉末被覆所述原料的表面的至少一部分的被覆工序；以及在所述被覆工序之后，通过加热使所述原料升华，使设置于所述晶体设置部的单晶生长的晶体生长工序。
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公开(公告)号：CN110088363B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201780078707.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种SiC锭的制造方法。在该SiC锭的制造方法中，包括使晶体在相对于{0001}面具有偏离角的主面上生长的晶体生长工序，至少在所述晶体生长工序的所述晶体从所述主面生长7mm以上后的后半生长工序中，使倾斜面与所述{0001}面所成的锐角为大于或等于比偏离角小2°的角度且小于或等于8.6°，该倾斜面是与沿着偏离方向切割的切割截面垂直且通过晶体生长面的中心和晶体生长面的偏离下游端部这两者的面。
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公开(公告)号：CN110408997B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910335471.0
申请日：2019-04-24
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明的绝热性遮蔽构件，是在单晶制造装置(10)中配置于原料收纳部(3)与基板支承部(4)之间而被使用的构件，所述单晶制造装置(10)是从原料收纳部(3)使原料(M)升华从而在基板(S)上使原料(M)的单晶(W)生长的装置，其具备结晶生长用容器(2)、和配置于该结晶生长用容器(2)的外周的加热单元(5)，结晶生长用容器(2)具备位于其下部的原料收纳部(3)、和配置于原料收纳部(3)的上方而以与原料收纳部(3)对向的方式支承结晶生长用基板(S)的基板支承部(4)。
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公开(公告)号：CN110878427A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910751559.0
申请日：2019-08-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够抑制升华了的原料气体在原料表面再结晶化、并抑制在晶体生长的单晶内发生异种多形的单晶生长方法。该单晶生长方法包括：在具备用于收纳原料的内底部以及与所述内底部相对的晶体设置部的坩埚中，在所述内底部收纳原料的收纳工序；在所述收纳工序之后，从所述晶体设置部俯视，由金属碳化物粉末被覆所述原料的表面的至少一部分的被覆工序；以及在所述被覆工序之后，通过加热使所述原料升华，使设置于所述晶体设置部的单晶生长的晶体生长工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110408997A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910335471.0
申请日：2019-04-24
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明的绝热性遮蔽构件，是在单晶制造装置(10)中配置于原料收纳部(3)与基板支承部(4)之间而被使用的构件，所述单晶制造装置(10)是从原料收纳部(3)使原料(M)升华从而在基板(S)上使原料(M)的单晶(W)生长的装置，其具备结晶生长用容器(2)、和配置于该结晶生长用容器(2)的外周的加热单元(5)，结晶生长用容器(2)具备位于其下部的原料收纳部(3)、和配置于原料收纳部(3)的上方而以与原料收纳部(3)对向的方式支承结晶生长用基板(S)的基板支承部(4)。
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公开(公告)号：CN110268106A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201780079551.3
申请日：2017-12-22
IPC: C30B29/36 , C30B23/06 , C30B33/00 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种SiC晶片以及SiC晶片的制造方法。该SiC晶片中，在第一面外露的穿透位错的穿透位错密度与在第二面外露的穿透位错的穿透位错密度之差为所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面上的穿透位错密度的10％以下，在所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面外露的穿透位错中的90％以上延伸到穿透位错密度低的那一面。
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公开(公告)号：CN109957838A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811486783.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
IPC: C30B29/36 , C30B23/02 , C30B31/06 , G01N23/207
Abstract: 本公开涉及SiC锭(I)的制造方法。包括：测定工序，至少沿着通过俯视中央的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向来测定SiC单晶(1)的原子排列面(2)的弯曲方向，求出所述原子排列面(2)的形状；以及晶体生长工序，以所述SiC单晶(1)作为籽晶进行晶体生长，在所述测定工序中测定出的所述原子排列面(2)的形状是所述原子排列面(2)的弯曲方向在所述第一方向和所述第二方向上不同的鞍形的情况下，设定所述晶体生长工序中的晶体生长条件，以使得晶体生长结束时的第二生长面的凸面度比所述籽晶的中心处的晶体生长量为7mm的时间点下的第一生长面的凸面度大。
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