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公开(公告)号：CN114487948A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111181840.9
申请日：2021-10-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的课题为：在利用了磁阻抗效应的磁传感器中，与感应元件的短边方向的宽度从长边方向的一端至另一端相等的情况相比，使灵敏度提高。本发明的解决手段为：磁传感器具备非磁性的基板、和设置于前述基板上且由软磁体形成的感应元件，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，该长边方向的中央部的宽度小于该长边方向的两端部，所述感应元件通过磁阻抗效应来感应磁场。
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