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    用于基板处理的激光反射仪
    1.
    发明公开
    用于基板处理的激光反射仪 有权

    公开(公告)号：CN103959442A

    公开(公告)日：2014-07-30

    申请号：CN201280057787.4

    申请日：2012-11-15

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： 西奥多·P·莫菲特

    IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/428 ,  B23K26/034 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/127 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

    Abstract: 本发明的实施方式涉及用于在基板处理系统中控制激光装置以及与激光装置的运用相关的安全特征的方法和设备。一个实施方式中，提供一种用于处理基板的系统。所述系统包括：腔室，所述腔室具有处理容积；第一激光装置，所述第一激光装置向所述处理容积中发射第一波长的射束；以及第二激光装置，所述第二激光装置向所述处理容积中发射第二波长的射束，其中所述第二波长与所述第一波长不同，并且所述第二激光装置包含滤光器，所述滤光器适于衰减所述第一波长和所述第二波长之一或两者。

    用于图案化薄膜电化学装置的方法和衍射光学元件
    3.
    发明授权
    用于图案化薄膜电化学装置的方法和衍射光学元件 失效

    公开(公告)号：CN104737363B

    公开(公告)日：2018-09-18

    申请号：CN201380054563.2

    申请日：2013-10-25

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： 宋道英 ,  利奥·B·夸克 ,  布鲁斯·E·亚当斯 ,  西奥多·P·莫菲特

    IPC: H01M14/00 ,  H01M2/10

    Abstract: 一种制造电化学装置的方法，包括以下步骤：在基板上沉积装置层，所述装置层包括电极和相应集电器以及电解质层；和通过激光束入射在衍射光学元件上所产生的激光图案直接图案化所述装置层中的至少一个装置层，所述激光图案在单激光照射中直接图案化至少一整个装置。所述激光直接图案化除其他之外可包括：在已经沉积所有的有源层之后芯片图案化薄膜电化学装置；从相应的集电器选择性剥蚀阴极/阳极材料；和从集电器选择性剥蚀电解质材料。此外，可以通过入射在衍射光学元件上的激光束产生的成形光束直接图案化电化学装置，并且可以将成形光束移动跨越装置的工作面。

    脉冲宽度控制器
    5.
    发明公开
    脉冲宽度控制器 有权

    公开(公告)号：CN104641458A

    公开(公告)日：2015-05-20

    申请号：CN201380048129.3

    申请日：2013-09-18

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： 西奥多·P·莫菲特

    IPC: H01L21/324

    CPC classification number: B23K26/352 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  G02B5/30 ,  G02B5/3025 ,  G02B27/283 ,  H01S3/0057

    Abstract: 本文揭示一种用于热处理系统的脉冲宽度控制器。脉冲电磁辐射被引导穿过转动式波片至偏振分束器，所述偏振分束器根据所述波片的相角而反射及透射。通过所述偏振分束器透射的辐射被引导至光路，所述光路经渡越时间后使所述辐射返回所述偏振分束器。第二转动式波片定位于所述光路中。所述偏振分束器根据所述第二转动式波片的相角反射及透射返回的辐射。第二脉冲宽度控制器可嵌套于所述光路中，且所述光路可嵌套任何数量的脉冲宽度控制器。

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