公开(公告)号：CN106470756B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201580036357.8

申请日：2015-06-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马丁·杰夫·萨里纳斯 ,  董友群 ,  戴维·汤普森 ,  张梅

IPC: B01J4/00 ,  B01J4/02

Abstract: 本文提供用于化学品输送的方法与设备。在一些实施方式中，第一贮槽容纳第一容积的流体、接收载气、并且将所述载气连同源自所述第一容积的流体的蒸气一并输出。第二贮槽容纳第二容积的流体，且能够输送所述第二容积的流体的一部分至所述第一贮槽。自行调节管从所述第一贮槽延伸到所述第二贮槽中的所述第二容积的流体上方的区域。

公开(公告)号：CN106470756A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580036357.8

申请日：2015-06-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马丁·杰夫·萨里纳斯 ,  董友群 ,  戴维·汤普森 ,  张梅

IPC: B01J4/00 ,  B01J4/02

Abstract: 本文提供用于化学品输送的方法与设备。在一些实施方式中，第一贮槽容纳第一容积的流体、接收载气、并且将所述载气连同源自所述第一容积的流体的蒸气一并输出。第二贮槽容纳第二容积的流体，且能够输送所述第二容积的流体的一部分至所述第一贮槽。自行调节管从所述第一贮槽延伸到所述第二贮槽中的所述第二容积的流体上方的区域。

公开(公告)号：CN106663607A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580031775.8

申请日：2015-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郑锦 ,  董友群

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/14 ,  C23C16/45561 ,  C30B29/06 ,  Y10T137/2499

Abstract: 本发明提供具有双重或多重掺杂剂入口以用于处理半导体基板的方法与装置，这些入口形成于外延腔室的不同位置处且被构造成于沉积期间朝向基板的不同位置供应掺杂剂气体。一个实施方式中，耦接外延沉积腔室而构造的气体递送系统包括：气体导管，具有第一端与第二端，该气体导管被构造成设置于外延沉积腔室中，该第一端耦接气体面板，该第二端分支而出以包括辅助内掺杂剂入口与辅助外掺杂剂入口，其中该辅助内掺杂剂入口与该辅助外掺杂剂入口在该外延沉积腔室中实施时独立地受到控制。