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公开(公告)号：CN105765103A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480063929.7
申请日：2014-12-02
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/45502 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , H01L21/67017
Abstract: 本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。一种基板处理腔室可以包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体上，并且包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；腔室底，所述腔室底包括第二流动通道，所述第二流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及泵环，所述泵环设置在所述内部容积中并与所述内部容积流体连通，所述泵环包括：上部腔室，所述上部腔室被流体耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述下部腔室，以便选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109585248B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810982141.6
申请日：2014-12-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。一种基板处理腔室可以包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体上，并且包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；腔室底，所述腔室底包括第二流动通道，所述第二流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及泵环，所述泵环设置在所述内部容积中并与所述内部容积流体连通，所述泵环包括：上部腔室，所述上部腔室被流体耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述下部腔室，以便选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开。
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公开(公告)号：CN102934203A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027318.3
申请日：2011-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/45565 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于沉积材料的设备和方法，特别是涉及配置为在等离子体增强工艺期间沉积材料的气相沉积腔室。在一个实施例中，提供用于处理一个或多个基板的腔室。所述腔室主体包括：限定处理空间的腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间中并且配置为支撑一个或多个基板；处理盖组件，所述处理盖组件设置在所述基板支撑件上方，其中所述处理盖组件具有等离子体空腔，所述等离子体空腔配置为生成等离子体并且提供一种或多种自由基物种到所述处理空间；耦接气体分配组件的RF（射频）电源；等离子体形成气体源，所述等离子体形成气体源耦接所述处理盖组件；和反应气体源，所述反应气体源耦接所述处理盖组件。
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公开(公告)号：CN109585248A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810982141.6
申请日：2014-12-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。一种基板处理腔室可以包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体上，并且包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；腔室底，所述腔室底包括第二流动通道，所述第二流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及泵环，所述泵环设置在所述内部容积中并与所述内部容积流体连通，所述泵环包括：上部腔室，所述上部腔室被流体耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述下部腔室，以便选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开。
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公开(公告)号：CN102934203B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201180027318.3
申请日：2011-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/45565 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于沉积材料的设备和方法，特别是涉及配置为在等离子体增强工艺期间沉积材料的气相沉积腔室。在一个实施例中，提供用于处理一个或多个基板的腔室。所述腔室主体包括：限定处理空间的腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间中并且配置为支撑一个或多个基板；处理盖组件，所述处理盖组件设置在所述基板支撑件上方，其中所述处理盖组件具有等离子体空腔，所述等离子体空腔配置为生成等离子体并且提供一种或多种自由基物种到所述处理空间；耦接气体分配组件的RF（射频）电源；等离子体形成气体源，所述等离子体形成气体源耦接所述处理盖组件；和反应气体源，所述反应气体源耦接所述处理盖组件。
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公开(公告)号：CN105765103B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480063929.7
申请日：2014-12-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。一种基板处理腔室可以包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体上，并且包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；腔室底，所述腔室底包括第二流动通道，所述第二流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及泵环，所述泵环设置在所述内部容积中并与所述内部容积流体连通，所述泵环包括：上部腔室，所述上部腔室被流体耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述下部腔室，以便选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开。
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