公开(公告)号：CN112105758A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201980031467.3

申请日：2019-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷雨 ,  李相协 ,  克里斯·帕贝里可 ,  徐翼 ,  河泰泓 ,  唐先民 ,  朴金河

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/448 ,  C23C28/00 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 本案提供一种用于提供具有金属膜的电子装置的设备和方法。本公开内容的一些实施方式利用金属钨层作为衬垫，该衬垫充满包含钴的金属膜。金属钨层具有对钴的良好粘附力，导致增强的钴缝隙填充效能。

公开(公告)号：CN104813444A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380053240.1

申请日：2013-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  朴基振 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  大东和也 ,  约书亚·柯林斯 ,  王成贤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/08 ,  C23C16/50

Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

公开(公告)号：CN108538715B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201810259666.7

申请日：2013-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  朴基振 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  大东和也 ,  约书亚·柯林斯 ,  王成贤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

公开(公告)号：CN104813444B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380053240.1

申请日：2013-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  朴基振 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  大东和也 ,  约书亚·柯林斯 ,  王成贤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/08 ,  C23C16/50

Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

公开(公告)号：CN102959710B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201180029706.5

申请日：2011-05-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  哈阳成 ,  李维迪 ,  金勋 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷雨 ,  凯文·莫雷斯 ,  唐先民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明提供金属栅极结构及其形成方法。在某些实施例中，基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构，而在基材上形成金属栅极结构的方法可包括下列步骤：在特征结构内，在介电层顶上沉积第一层；在特征结构内，在第一层顶上沉积第二层，第二层包含钴或镍；以及在特征结构内，在第二层顶上沉积第三层以填充特征结构，第三层包含金属，其中第一层及第二层中的至少一层形成湿润层，以形成供后续沉积层所用的成核层，其中第一层、第二层及第三层中的一层形成功函数层，且其中第三层形成栅极电极。

公开(公告)号：CN108538715A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810259666.7

申请日：2013-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  朴基振 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  大东和也 ,  约书亚·柯林斯 ,  王成贤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

公开(公告)号：CN102959710A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180029706.5

申请日：2011-05-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  哈阳成 ,  李维迪 ,  金勋 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷雨 ,  凯文·莫雷斯 ,  唐先民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明提供金属栅极结构及其形成方法。在某些实施例中，基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构，而在基材上形成金属栅极结构的方法可包括下列步骤：在特征结构内，在介电层顶上沉积第一层；在特征结构内，在第一层顶上沉积第二层，第二层包含钴或镍；以及在特征结构内，在第二层顶上沉积第三层以填充特征结构，第三层包含金属，其中第一层及第二层中的至少一层形成湿润层，以形成供后续沉积层所用的成核层，其中第一层、第二层及第三层中的一层形成功函数层，且其中第三层形成栅极电极。