公开(公告)号：CN114930520A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008907.0

申请日：2021-06-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  呼宇飞 ,  大东和也 ,  杰拉尔丁·M·瓦斯奎兹 ,  何达 ,  贾勒帕里·拉维 ,  雷雨 ,  吴典晔

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04

Abstract: 描述用于预清洁基板的方法，所述基板具有金属和电介质表面。将包含冷却特征的基座的温度设定为小于或等于100℃，其中基板位在所述基座上。使基板暴露于等离子体处理，以从包括金属底部、电介质侧壁和/或电介质场的基板的特征去除化学残留物和/或杂质，和/或修复电介质侧壁和/或电介质场中的表面缺陷。等离子体处理可为氧等离子体，举例而言，直接氧等离子体。还描述用于实施所述方法的处理工具及计算机可读介质。

公开(公告)号：CN114946018A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008110.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  呼宇飞 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  何达 ,  岑嘉杰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了在相对低的温度下执行的用于沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了其中控制反应物气体之间的比率的方法。本公开内容的一些实施方式提供了钨的选择性沉积。本公开内容的一些实施方式提供了用于在低温下沉积具有相对低粗糙度、应力及杂质水平的钨膜的方法。

公开(公告)号：CN117882183A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280057852.7

申请日：2022-07-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑嘉杰 ,  何达 ,  徐翼 ,  雷雨

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04

Abstract: 一种间隙填充基板上的特征的方法通过使用卤化钨浸泡处理来减小特征到特征间隙填充高度变化。在一些实施例中，所述方法可包括将基板加热至大约350摄氏度到大约450摄氏度的温度，在大约5托至大约25托的工艺压力下将基板暴露于卤化钨气体，用卤化钨气体将基板浸泡大约5秒至大约60秒的浸泡时间；并且在基板的浸泡完成之后，在基板上的多个特征上执行金属预清洁工艺和间隙填充沉积。