公开(公告)号：CN115023792A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180009088.1

申请日：2021-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  吴凯 ,  玄珉 ,  张潍铭 ,  汤姆何荣·余 ,  王珮琪 ,  姜宙翼 ,  王飞虎 ,  佐佐木信之 ,  周春明

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

Abstract: 用于在包括高深宽比结构的结构上形成钨间隙填充部的方法包括：使用具有氩或氪的环境气体和高离子化的物理气相沉积(PVD)处理在该结构中沉积钨衬垫。该PVD处理在大约20摄氏度至大约300摄氏度的温度下执行。该方法进一步包括：以氮化处理处置该结构，且使用化学气相沉积(CVD)处理沉积整体填充钨至该结构中，以形成接缝抑制的无硼钨填充部。该CVD处理在大约300摄氏度至大约500摄氏度的温度下和大约5托至大约300托的压力下执行。