公开(公告)号：CN118824944A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410478054.2

申请日：2024-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 ,  金龙珍 ,  卡门·莱尔·塞万提斯 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  谢祥金 ,  迈克尔·哈维蒂 ,  凯文·卡舍菲 ,  马克·沙丽 ,  艾伦·丹格菲尔德 ,  杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体元件的方法。在一些实施例中，在沉积阻挡层之前将阻障层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻障分子，例如含硼化合物，以在氧化铝表面或氮化铝表面中的一个和电介质表面上方的金属表面上选择性地形成阻障层。

公开(公告)号：CN118588634A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410239566.3

申请日：2024-03-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  金龙珍 ,  卡门·莱尔·塞万提斯 ,  谢祥金 ,  杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯 ,  艾伦·丹格菲尔德 ,  迈克尔·哈维蒂 ,  马克·沙丽 ,  凯文·卡舍菲

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体装置的方法。在一些实施方式中，在沉积阻挡层之前将阻碍层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻碍分子，以相对于氧化铝表面或氮化铝表面中的一者以及电介质表面在金属表面上选择性地形成阻碍层。