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公开(公告)号：CN119343757A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380046012.5
申请日：2023-06-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 丽莎·恩曼 , 艾伦·丹格菲尔德 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨 , 杰弗里·W·安西斯 , 拉克马尔·卡拉塔拉格
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本文描述一种用于选择性地清洁和/或蚀刻样品的方法。该方法包括在基板的沟槽中选择性地形成膜，使得该沟槽可以被选择性地蚀刻。聚合物膜沉积在沟槽的底表面上而不沉积在侧壁上。第二膜选择性的形成在该沟槽中而不在该聚合物膜上形成该第二膜。然后从该沟槽的该底表面移除该聚合物，并且然后使用蚀刻化学在该沟槽的该底表面上执行蚀刻，其中该第二膜保护该侧壁不被蚀刻。
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