公开(公告)号：CN110603434A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201880029676.X

申请日：2018-05-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 萨姆尔·班纳 ,  吴冬 ,  梅迪·瓦泽-艾拉瓦尼 ,  瓦赫布·比沙拉

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/47 ,  G02B21/08

Abstract: 一种用于弹性检验样品的方法包括以下步骤：使用射束源形成输入射束；使用输入掩模来阻挡所述输入射束的一部分；及从所述输入射束的一部分形成定形射束。在物镜的第一部分处接收所述定形射束及将所述定形射束聚焦到样品上。在所述物镜的第二部分处收集反射射束。在所述物镜的所述第一部分及所述第二部分处及在所述物镜的第三部分处收集散射光。在暗视野检测器模块处接收所述散射光，且将所述散射光的一部分引导到暗视野检测器。所述暗视野检测器模块包括具有一或多个输出孔的输出掩模，所述一或多个输出孔允许所述散射光穿过所述物镜的所述第三部分的至少一部分穿过而作为所述散射光被引导到所述暗视野检测器的所述部分。

公开(公告)号：CN113383426A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202080011467.X

申请日：2020-01-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 高拉夫·塔雷贾 ,  凯万·卡什菲扎德 ,  王希昆 ,  王安川 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  肖恩·M·索特 ,  吴冬

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件制造处理包括：在具有多个开口的基板上形成栅极，每个栅极具有第一金属的导电层与第一介电材料的栅极介电层，以第二介电材料部分地填充所述开口，在不破坏真空的处理系统中的基板上形成第一结构，在第一结构上方沉积第三介电材料，及形成所述栅极的平坦化表面与安置设置在第一结构上方的第三介电材料的表面。形成第一结构包括：通过去除每个开口内的第二介电材料的第二部分而形成沟槽，通过以第二金属部分地填充所述沟槽而在所述沟槽中形成凹陷有源区，在每个凹陷有源区上方形成衬垫，及在各衬垫上方形成金属盖层。