公开(公告)号：CN111712924A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201980012762.4

申请日：2019-02-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿希什·派欧 ,  高拉夫·塔雷贾 ,  林圣奎 ,  王安川 ,  徐清梅 ,  妮琴·英吉 ,  阿杰·巴哈特纳瓜

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 可以执行处理方法，以在半导体基板上形成空气间隙间隔件。所述方法可以包括以下步骤：形成间隔件结构，间隔件结构包括第一材料和与第一材料不同的第二材料。所述方法可以包括以下步骤：形成源/漏结构。源/漏结构可以通过至少一种其他材料从间隔件结构的第二材料偏移。所述方法还可以包括以下步骤：从间隔件结构蚀刻第二材料，以形成空气间隙。在蚀刻期间，源/漏结构可以是未暴露于蚀刻剂材料的。

公开(公告)号：CN111712924B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201980012762.4

申请日：2019-02-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿希什·派欧 ,  高拉夫·塔雷贾 ,  林圣奎 ,  王安川 ,  徐清梅 ,  妮琴·英吉 ,  阿杰·巴哈特纳瓜

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 可以执行处理方法，以在半导体基板上形成空气间隙间隔件。所述方法可以包括以下步骤：形成间隔件结构，间隔件结构包括第一材料和与第一材料不同的第二材料。所述方法可以包括以下步骤：形成源/漏结构。源/漏结构可以通过至少一种其他材料从间隔件结构的第二材料偏移。所述方法还可以包括以下步骤：从间隔件结构蚀刻第二材料，以形成空气间隙。在蚀刻期间，源/漏结构可以是未暴露于蚀刻剂材料的。