公开(公告)号：CN112840444A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980062765.9

申请日：2019-09-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 胡积玓 ,  布莱恩·H·伯罗斯 ,  贾纳尔丹·德夫拉詹 ,  舒伯特·S·诸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本文描述的实施方式大致上关于原位计量系统，该原位计量系统能够持续提供到达设置于处理腔室内的基板的不中断的光学途径。在一个实施方式中，提供一种用于基板处理腔室的计量系统。该计量系统包括：传感器观察管件，耦接至基板处理腔室的石英圆顶；凸缘，从该传感器观察管件的外表面径向延伸；以及视口窗，设置在该凸缘上，该视口窗具有针对光学传感器选择的多个光谱范围，该光学传感器设置在该视口窗上或邻近该视口窗。

公开(公告)号：CN112930591B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN201980059554.X

申请日：2019-09-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李学斌 ,  舒伯特·S·诸 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  帕特里夏·M·刘 ,  高拉夫·塔雷贾 ,  雷蒙德·霍曼·洪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本文论述的系统及方法用于群集工具，群集工具可用于MOSFET装置制造，MOSFET装置包括NMOS及PMOS装置。群集工具包括处理腔室，用于预清洁、金属硅化物或金属锗化物膜形成、及表面保护操作，如覆盖和氮化作用。群集工具可包括被配置为形成源极和漏极的一个或多个处理腔室。将在群集工具中制造的装置制造成具有至少一个保护层，此至少一个保护层形成于金属硅化物或金属锗化物膜上方以在处理期间保护膜免受污染并且传送至分隔系统。

公开(公告)号：CN112930591A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980059554.X

申请日：2019-09-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李学斌 ,  舒伯特·S·诸 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  帕特里夏·M·刘 ,  高拉夫·塔雷贾 ,  雷蒙德·霍曼·洪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本文论述的系统及方法用于群集工具，群集工具可用于MOSFET装置制造，MOSFET装置包括NMOS及PMOS装置。群集工具包括处理腔室，用于预清洁、金属硅化物或金属锗化物膜形成、及表面保护操作，如覆盖和氮化作用。群集工具可包括被配置为形成源极和漏极的一个或多个处理腔室。将在群集工具中制造的装置制造成具有至少一个保护层，此至少一个保护层形成于金属硅化物或金属锗化物膜上方以在处理期间保护膜免受污染并且传送至分隔系统。