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公开(公告)号：CN113348265B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201980088231.3
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/42 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间形成远程等离子体反应；及使反应产物流入处理腔室中，以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。
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公开(公告)号：CN110024079A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780071909.8
申请日：2017-11-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 仓富敬 , 海克·林 , 伊诚·陈 , 张镁
IPC: H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 在基板的高深宽比特征结构中的含硅表面上选择性地沉积含钛膜的方法包括等离子体功率在范围为约1毫瓦/cm2至小于约700毫瓦/cm2和频率在范围为约10kHz至约50MHz的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理。此钛膜可以范围为至少约1.3：1的金属性硅表面相对于二氧化硅表面的选择性而被选择性沉积。
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公开(公告)号：CN117604484A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311426527.6
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/04 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间形成远程等离子体反应；及使反应产物流入处理腔室中，以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。
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公开(公告)号：CN113348265A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980088231.3
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/42 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间形成远程等离子体反应；及使反应产物流入处理腔室中，以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。
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