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公开(公告)号：CN110024079A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780071909.8
申请日：2017-11-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 仓富敬 , 海克·林 , 伊诚·陈 , 张镁
IPC: H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 在基板的高深宽比特征结构中的含硅表面上选择性地沉积含钛膜的方法包括等离子体功率在范围为约1毫瓦/cm2至小于约700毫瓦/cm2和频率在范围为约10kHz至约50MHz的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理。此钛膜可以范围为至少约1.3：1的金属性硅表面相对于二氧化硅表面的选择性而被选择性沉积。
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