公开(公告)号：CN108369902B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201680070845.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布伦特·比格斯 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  仓富敬 ,  马克·H·李

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明揭露一种用于在经氧化退火的金属氮化物膜中降低氧含量的方法，包括将此膜暴露至等离子体。

公开(公告)号：CN108369902A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680070845.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布伦特·比格斯 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  仓富敬 ,  马克·H·李

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/32053 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76862

Abstract: 本发明揭露一种用于在经氧化退火的金属氮化物膜中降低氧含量的方法，包括将此膜暴露至等离子体。

公开(公告)号：CN108140531B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201680058291.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布伦特·比格斯 ,  仓富隆

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开用于处理基板的设备与方法。在一些实施方式中，基板处理系统包括：处理腔室、基板支撑件、共振器线圈及共振电感调谐电路，处理腔室界定用于接收基板的内部容积且具有等离子体形成区域，基板支撑件定位于内部容积内，共振器线圈设置成靠近等离子体形成区域，共振电感调谐电路经构造以沿着共振器线圈改变RF馈电点位置。根据实施方式，一种操作基板处理系统的方法，包括以下步骤：将基板传送到设置于处理腔室的内部容积内的基板支撑件，该内部容积具有等离子体形成区域，及操作共振电感调谐电路以将RF电源与沿着共振器线圈的多个RF馈电点中的第一RF馈电点耦接，该共振器线圈设置成靠近等离子体形成区域。

公开(公告)号：CN108140531A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058291.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布伦特·比格斯 ,  仓富隆

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开用于处理基板的设备与方法。在一些实施方式中，基板处理系统包括：处理腔室、基板支撑件、共振器线圈及共振电感调谐电路，处理腔室界定用于接收基板的内部容积且具有等离子体形成区域，基板支撑件定位于内部容积内，共振器线圈设置成靠近等离子体形成区域，共振电感调谐电路经构造以沿着共振器线圈改变RF馈电点位置。根据实施方式，一种操作基板处理系统的方法，包括以下步骤：将基板传送到设置于处理腔室的内部容积内的基板支撑件，该内部容积具有等离子体形成区域，及操作共振电感调谐电路以将RF电源与沿着共振器线圈的多个RF馈电点中的第一RF馈电点耦接，该共振器线圈设置成靠近等离子体形成区域。