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公开(公告)号：CN115769365A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180047961.6
申请日：2021-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供了经由化学气相沉积技术进行钛材料的氮化物覆盖的方法及装置。所述方法包括在形成于基板上的钛材料层上形成氮化钛层。通过将钛材料层暴露于富氢的含氮等离子体，随后将钛材料层暴露于富氮的含氮等离子体来形成氮化钛层。然后将氮化钛层暴露于氩等离子体，随后将氮化钛层暴露于卤化物浸泡工艺。
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公开(公告)号：CN108140531B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201680058291.7
申请日：2016-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开用于处理基板的设备与方法。在一些实施方式中，基板处理系统包括：处理腔室、基板支撑件、共振器线圈及共振电感调谐电路，处理腔室界定用于接收基板的内部容积且具有等离子体形成区域，基板支撑件定位于内部容积内，共振器线圈设置成靠近等离子体形成区域，共振电感调谐电路经构造以沿着共振器线圈改变RF馈电点位置。根据实施方式，一种操作基板处理系统的方法，包括以下步骤：将基板传送到设置于处理腔室的内部容积内的基板支撑件，该内部容积具有等离子体形成区域，及操作共振电感调谐电路以将RF电源与沿着共振器线圈的多个RF馈电点中的第一RF馈电点耦接，该共振器线圈设置成靠近等离子体形成区域。
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公开(公告)号：CN108140531A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058291.7
申请日：2016-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开用于处理基板的设备与方法。在一些实施方式中，基板处理系统包括：处理腔室、基板支撑件、共振器线圈及共振电感调谐电路，处理腔室界定用于接收基板的内部容积且具有等离子体形成区域，基板支撑件定位于内部容积内，共振器线圈设置成靠近等离子体形成区域，共振电感调谐电路经构造以沿着共振器线圈改变RF馈电点位置。根据实施方式，一种操作基板处理系统的方法，包括以下步骤：将基板传送到设置于处理腔室的内部容积内的基板支撑件，该内部容积具有等离子体形成区域，及操作共振电感调谐电路以将RF电源与沿着共振器线圈的多个RF馈电点中的第一RF馈电点耦接，该共振器线圈设置成靠近等离子体形成区域。
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