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公开(公告)号：CN115038808B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202180010383.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供在处理腔室中使用的处理屏蔽的实施例。在一些实施例中，在处理腔室中使用的处理屏蔽包括主体，所述主体具有圆柱形状，其中所述主体包括上部分及下部分，所述上部分具有外唇部且所述下部分从所述上部分向下且径向向内延伸，其中所述外唇部包括容纳紧固件的多个开口、从所述外唇部的外表面径向向内延伸的多个对准插槽、及凹口下周边边缘，且其中所述外唇部的下表面包括多个沟槽。
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公开(公告)号：CN107210179B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201680008925.8
申请日：2016-01-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡泽拉·R·纳伦德瑞纳斯 , 戈文达·瑞泽 , 吉留刚一 , 波柏纳·伊谢提拉·瓦珊塔 , 乌梅什·M·科尔卡
Abstract: 本文公开一种用于处理腔室的腔室元件。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的腔室元件包括：具有单一整体结构的元件部分主体。所述元件部分主体具有纹理表面。所述纹理表面包括：多个独立的改造宏观特征，这些改造宏观特征与所述元件部分主体一体形成。这些改造宏观特征包括：从所述纹理表面延伸的宏观特征主体。
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公开(公告)号：CN105026608A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480010487.X
申请日：2014-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/3414 , H01J37/3435 , Y10T428/218 , Y10T428/219
Abstract: 在一些实施方式中，一种用于具有处理屏蔽件的基板处理腔室中使用的靶组件可包括：背板，具有第一侧和相对的第二侧，其中该第二侧包含具有第一直径的第一表面，由第一边缘约束该第一表面；靶材料，具有粘合至背板的第一表面的第一侧；其中第一边缘为背板与靶材料之间的界面；和多个槽缝，沿背板的外部外围安置以在使用期间相对于处理屏蔽件对准靶组件，其中在背板的第一侧中形成多个槽缝并且所述多个槽缝仅部分延伸至背板中。
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公开(公告)号：CN105009252A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010134.X
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/045 , C23C16/4585 , H01J37/32642
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室的处理配件可包括：环，所述环具有主体及从主体径向向内延伸的唇部，其中所述主体具有形成在主体的底部内的第一环形通道；环形导电屏蔽件，所述环形导电屏蔽件具有下方向内延伸突出部分，所述下方向内延伸突出部分终止于向上延伸部分，所述向上延伸部分被配置以与环的第一环形通道接合；及导电构件，当环设置在导电屏蔽件上时，所述导电构件将环电气耦接至导电屏蔽件。
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公开(公告)号：CN118103544A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280065542.X
申请日：2022-07-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏哈斯·班加罗尔·乌梅什 , 基索尔·库马尔·卡拉提帕拉比尔 , 吉留刚一
Abstract: 一种用于沉积材料的等离子体气相沉积(PVD)腔室，包括用于在基板上沉积期间影响离子轨迹的设备。设备包括至少一个环形支撑组件以及磁场产生器，环形支撑组件被配置为从外部附接到基板支撑基座并定位在基板支撑基座下方，磁场产生器被固定到环形支撑组件并被配置为在基板的顶表面上辐射磁场。磁场产生器可包括多个对称间隔开的分立的永久磁铁，或者可以使用一个或多个电磁铁来产生磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105009252B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201480010134.X
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/045 , C23C16/4585 , H01J37/32642
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室的处理配件可包括：环，所述环具有主体及从主体径向向内延伸的唇部，其中所述主体具有形成在主体的底部内的第一环形通道；环形导电屏蔽件，所述环形导电屏蔽件具有下方向内延伸突出部分，所述下方向内延伸突出部分终止于向上延伸部分，所述向上延伸部分被配置以与环的第一环形通道接合；及导电构件，当环设置在导电屏蔽件上时，所述导电构件将环电气耦接至导电屏蔽件。
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公开(公告)号：CN117396632A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280038640.4
申请日：2022-04-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吉留刚一
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种用于沉积材料的等离子体气相沉积(PVD)腔室，包括用于在基板上沉积期间影响离子轨迹的装置。装置包括至少一个环形支撑组件和磁场产生器，环形支撑组件被配置为从外部附接到基板支撑基座并且定位在基板支撑基座下方，磁场产生器被固定到环形支撑组件并且被配置为在基板的顶表面上辐射磁场。磁场产生器可包括多个对称间隔开的分立的永久磁铁，或者可以使用一个或多个电磁体来产生磁场。
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公开(公告)号：CN110574143B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201880027850.7
申请日：2018-04-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 在低压环境中将原子层沉积(ALD)处理与物理气相沉积(PVD)处理结合，以产生高质量的阻挡膜。使用ALD处理将初始阻挡膜沉积在基板上，并接着移动到PVD腔室以处理阻挡膜，以增加阻挡膜的密度和纯度，从而降低阻挡膜的电阻率。将双材料源溅射到基板上以提供掺杂，同时使用气体来蚀刻基板以释放氮气。至少一个材料源被定位为以锐角提供掺杂给基板的表面，同时供应DC功率和在第一RF功率频率下的RF功率。基板使用在第二RF功率频率下的RF功率而偏压。
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公开(公告)号：CN110574143A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027850.7
申请日：2018-04-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 在低压环境中将原子层沉积(ALD)处理与物理气相沉积(PVD)处理结合，以产生高质量的阻挡膜。使用ALD处理将初始阻挡膜沉积在基板上，并接着移动到PVD腔室以处理阻挡膜，以增加阻挡膜的密度和纯度，从而降低阻挡膜的电阻率。将双材料源溅射到基板上以提供掺杂，同时使用气体来蚀刻基板以释放氮气。至少一个材料源被定位为以锐角提供掺杂给基板的表面，同时供应DC功率和在第一RF功率频率下的RF功率。基板使用在第二RF功率频率下的RF功率而偏压。
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