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公开(公告)号：CN105706351A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480061349.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 蔡振雄 , 罗伯特·T·海拉哈拉 , 凯瑟拉·拉马亚·纳伦德纳斯 , 曼朱纳塔·科普帕 , 罗斯·马歇尔
IPC: H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6875 , H01L21/6831 , Y10T428/24298 , Y10T428/24314
Abstract: 具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。
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公开(公告)号：CN113169111A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080012.0
申请日：2019-12-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本文提供了具有改善ESC与基板之间的热耦合的内部气体通道的静电吸盘(ESC)的实施方式，以及包含该静电吸盘的基板支撑件和处理腔室。在一些实施方式中，静电吸盘包括电极、介电体与气体分配通道，该介电体具有圆盘形状并覆盖该电极，该介电体包含中心区域和周围区域，且该介电体包含下表面与上表面，该下表面具有中心开口，该上表面在该中心区域中具有第一开口以及在该周围区域中具有多个第二开口，其中该上表面包含多个突部，且该多个第二开口中的各者的直径大于25.0密耳，气体分配通道从下表面延伸到上表面，以在介电体内限定气室。
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公开(公告)号：CN106935541B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201611012176.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 蔡振雄 , 罗伯特·T·海拉哈拉 , 凯瑟拉·拉马亚·纳伦德纳斯 , 曼朱纳塔·科普帕 , 罗斯·马歇尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105706351B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201480061349.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 蔡振雄 , 罗伯特·T·海拉哈拉 , 凯瑟拉·拉马亚·纳伦德纳斯 , 曼朱纳塔·科普帕 , 罗斯·马歇尔
IPC: H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6875 , H01L21/6831 , Y10T428/24298 , Y10T428/24314
Abstract: 具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。
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公开(公告)号：CN109804458A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780061629.9
申请日：2017-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。
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公开(公告)号：CN117198869A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311032383.6
申请日：2017-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , H01L21/324
Abstract: 描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。
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公开(公告)号：CN109804458B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201780061629.9
申请日：2017-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。
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公开(公告)号：CN106935541A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201611012176.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 蔡振雄 , 罗伯特·T·海拉哈拉 , 凯瑟拉·拉马亚·纳伦德纳斯 , 曼朱纳塔·科普帕 , 罗斯·马歇尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。
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