公开(公告)号：CN108140560B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN201680059853.X

申请日：2016-10-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 ,  清·X·源 ,  王志勇 ,  雷建新 ,  唐先民

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 在此公开用于将耐火金属层溅射到设置在基板上的阻挡层上的系统和方法。在一或多个实施方式中，在集成电路中溅射沉积钨结构的方法包括以下步骤：将基板移动到等离子体处理腔室中，且移动到与溅射靶材组件相对的基板支撑件上，溅射靶材组件包含具有不超过10ppm的碳和不超过10ppm的氧作为杂质存在的钨靶材；将氪气流入等离子体处理腔室；和将氪气激发成等离子体，以通过溅射而在由基板支撑件所支撑的基板的材料层上沉积钨膜层。在一些实施方式中，靶材组件进一步包括钛背板和设置在钛背板与钨靶材之间的铝粘合层。

公开(公告)号：CN108292596A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680062100.4

申请日：2016-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 ,  拉尹库曼·雅卡尔尤 ,  雷建新 ,  王志勇

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/4975 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/022 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/5826 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/2855

Abstract: 本公开内容的实施方式包括氮硅化钨膜和沉积氮硅化钨膜的方法。在一些实施方式中，一种薄膜微电子器件包括半导体基板，该基板具有钨栅极电极堆叠，该钨栅极电极堆叠包含氮硅化钨膜，该氮硅化钨膜具有WxSiyNz的化学式，其中x是约19至约22原子百分比，y是约57至约61原子百分比，z是约15至约20原子百分比。在一些实施方式中，一种处理安置于物理气相沉积(PVD)腔室的基板的方法包括：将具有栅极绝缘层的基板暴露于等离子体，该等离子体由第一处理气体形成，该第一处理气体包含氮和氩；从安置于该PVD腔室的处理容积内的靶材溅射硅和钨材料；将如上所述的氮硅化钨层沉积在该栅极绝缘层顶上；和将块状钨层沉积于该氮硅化钨层顶上。

公开(公告)号：CN108140560A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059853.X

申请日：2016-10-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 ,  清·X·源 ,  王志勇 ,  雷建新 ,  唐先民

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  C23C14/568 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3435 ,  H01L21/326

Abstract: 在此公开用于将一层耐火金属层溅射到设置在基板上的阻挡层上的系统和方法。在一或多个实施方式中，在集成电路中溅射沉积钨结构的方法包括以下步骤：将基板移动到等离子体处理腔室中，且移动到与溅射靶材组件相对的基板支撑件上，溅射靶材组件包含具有不超过10ppm的碳和不超过10ppm的氧作为杂质存在的钨靶材；将氪气流入等离子体处理腔室；和将氪气激发成等离子体，以通过溅射而在由基座所支撑的基板的材料层上沉积钨膜层。在一些实施方式中，靶材组件进一步包括钛背板和设置在钛背板与钨靶材之间的铝粘合层。