公开(公告)号：CN114981925A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009090.9

申请日：2021-07-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢祥金 ,  张富宏 ,  希里什语·A·佩特 ,  马丁·李·瑞克 ,  刘易斯·袁泽·罗 ,  仲兰兰 ,  唐先敏 ,  保罗·丹尼斯·康纳斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/54 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16

Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法和设备。举例而言，一种方法包括在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体；继续自靶材沉积溅射材料，同时在小于第一时间范围的第二时间范围内将第二压力降低至第三压力，同时维持等离子体；和继续自靶材沉积溅射材料，同时维持第三压力达大于或等于第二时间范围的第三时间范围，同时维持等离子体。