公开(公告)号：CN106574363B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580043811.2

申请日：2015-08-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 威廉·约翰森 ,  张富宏 ,  阿道夫·米勒·艾伦 ,  刘宇一

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

Abstract: 本文提供在标靶生命期的期间维持低非均匀性的改良方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，一种在物理气相沉积腔室中处理基板的方法包括：配置基板在基板支座顶上，所述基板支座具有围绕所述基板支座的盖环，使得所述基板的上表面被定位在所述盖环的上表面上方的第一距离处；从标靶溅射源材料，所述标靶与所述基板支座相对设置，以在保持所述第一距离的同时在所述基板顶上沉积膜；和在该标靶之生命期的期间，相对于所述盖环降低所述基板支座并从所述标靶溅射所述源材料，以在后续的基板顶上沉积膜。

公开(公告)号：CN106574363A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043811.2

申请日：2015-08-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 威廉·约翰森 ,  张富宏 ,  阿道夫·米勒·艾伦 ,  刘宇一

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

Abstract: 本文提供在标靶生命期的期间维持低非均匀性的改良方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，一种在物理气相沉积腔室中处理基板的方法包括：配置基板在基板支座顶上，所述基板支座具有围绕所述基板支座的盖环，使得所述基板的上表面被定位在所述盖环的上表面上方的第一距离处；从标靶溅射源材料，所述标靶与所述基板支座相对设置，以在保持所述第一距离的同时在所述基板顶上沉积膜；和在该标靶之生命期的期间，相对于所述盖环降低所述基板支座并从所述标靶溅射所述源材料，以在后续的基板顶上沉积膜。