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公开(公告)号：CN112930582B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201980069660.6
申请日：2019-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约瑟夫·奥布赫恩 , 桑吉夫·巴鲁贾 , 德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 , 杰瑞德·艾哈迈德·里 , 特哈斯·乌拉维 , 迈克尔·赖斯
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 描述了处理一个或多个晶片的设备和方法。处理腔室包括：第一处理站，包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器；第二处理站，包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器；和基板支撑组件，包括多个实质上共面的支撑表面，基板支撑组件经配置成使支撑表面在第一处理站和第二处理站之间移动。在晶片位于支撑表面上时，在约0.5秒内于站之间移动晶片时产生的温度偏斜小于约0.5℃。
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公开(公告)号：CN119790185A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380062176.7
申请日：2023-08-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿纳塔·K·苏比玛尼 , 赛义德·阿卜杜雷扎·法泽利 , 郭飏 , 钱德拉谢卡拉·巴吉纳热 , 拉姆查兰·桑达 , 史蒂文·莫斯布鲁克 , 约翰·李 , 万一扬 , 张书锚 , 德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 , 爱资哈尔·阿里·M·A
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32
Abstract: 在一些具体实施例中，一种喷头组件，喷头组件包括：加热的喷头，所述加热的喷头具有加热器板和耦接到加热器板的气体分配板；离子过滤器，离子过滤器与加热的喷头间隔开；间隔环，间隔环在加热的喷头与离子过滤器之间接触；远程等离子体区域，远程等离子体区域在所述加热的喷头与离子过滤器之间；上隔离器，上隔离器与间隔环间隔开并被支撑在离子过滤器上；密封环，密封环紧固到加热的喷头，抵靠上隔离器密封并将上隔离器推靠在离子过滤器上；间隙，间隙位于气体分配板的底部与离子过滤器的顶部之间，间隙与远程等离子体区域流体连通；第一通道，第一通道延伸穿过加热器板；和第二通道，第二通道与第一通道连通并延伸穿过气体分配板，第二通道延伸至间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119790184A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380062143.2
申请日：2023-08-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张荣基 , 德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 , 拉凯什·拉马达斯 , 阿什托西·阿咖瓦 , 沙希达拉·帕特尔·H·B , 穆罕纳德·穆斯塔法 , 桑吉夫·巴鲁贾
IPC: C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本文中描述的气体分配设备包括邻近喷淋头的后板的混合板。混合板具有限定混合板的厚度的后表面和前表面。混合板具有混合通道以及与混合通道的顶部部分流体连通的至少两个气体入口，混合通道包括限定混合通道长度的顶部部分和底部部分。气体分配设备还包括设置在混合通道的顶部部分中的混合板的厚度内的混合器。混合器具有顶板和从顶板延伸的混合器杆以及沿着混合器杆长度定位的多个叶片。还提供了包括本文中描述的气体分配设备的处理腔室。
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公开(公告)号：CN119480692A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411394138.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 , 戈普·克里希纳 , 桑吉夫·巴鲁贾 , 迈克尔·赖斯
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 描述了包括多个站开口的多站处理腔室盖。站分离净化通道围绕站开口。多个成角度的净化通道将站开口与相邻的站开口分离。盖支撑梁可以补偿腔室盖主体的挠曲。
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公开(公告)号：CN113891957A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080038268.8
申请日：2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿什托西·阿咖瓦 , 桑吉夫·巴鲁贾 , 德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 , 卡蒂克·萨哈 , 夏艳君
IPC: C23C16/455
Abstract: 提供了气体分配设备，具有：喷头，具有间隔开以形成气体空间的前板及背板，前板具有邻近气体空间的内表面及有多个孔延伸穿过其中的外表面，气体空间具有中心区域及外部区域；第一入口，与气体空间的中心区域流体连通，入口具有内侧及外侧；以及混合器，在入口内侧上设置以增加气体流温度。还提供了处理腔室设备及沉积膜的方法。
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公开(公告)号：CN112930582A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980069660.6
申请日：2019-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约瑟夫·奥布赫恩 , 桑吉夫·巴鲁贾 , 德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 , 杰瑞德·艾哈迈德·里 , 特哈斯·乌拉维 , 迈克尔·赖斯
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 描述了处理一个或多个晶片的设备和方法。处理腔室包括：第一处理站，包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器；第二处理站，包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器；和基板支撑组件，包括多个实质上共面的支撑表面，基板支撑组件经配置成使支撑表面在第一处理站和第二处理站之间移动。在晶片位于支撑表面上时，在约0.5秒内于站之间移动晶片时产生的温度偏斜小于约0.5℃。
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