公开(公告)号：CN112930582A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980069660.6

申请日：2019-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·奥布赫恩 ,  桑吉夫·巴鲁贾 ,  德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 ,  杰瑞德·艾哈迈德·里 ,  特哈斯·乌拉维 ,  迈克尔·赖斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 描述了处理一个或多个晶片的设备和方法。处理腔室包括：第一处理站，包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器；第二处理站，包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器；和基板支撑组件，包括多个实质上共面的支撑表面，基板支撑组件经配置成使支撑表面在第一处理站和第二处理站之间移动。在晶片位于支撑表面上时，在约0.5秒内于站之间移动晶片时产生的温度偏斜小于约0.5℃。

公开(公告)号：CN112930582B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201980069660.6

申请日：2019-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·奥布赫恩 ,  桑吉夫·巴鲁贾 ,  德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 ,  杰瑞德·艾哈迈德·里 ,  特哈斯·乌拉维 ,  迈克尔·赖斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 描述了处理一个或多个晶片的设备和方法。处理腔室包括：第一处理站，包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器；第二处理站，包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器；和基板支撑组件，包括多个实质上共面的支撑表面，基板支撑组件经配置成使支撑表面在第一处理站和第二处理站之间移动。在晶片位于支撑表面上时，在约0.5秒内于站之间移动晶片时产生的温度偏斜小于约0.5℃。

公开(公告)号：CN203242597U

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201220579261.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰瑞德·艾哈迈德·里 ,  保罗·路透

IPC: H01J37/21

CPC classification number: C23F1/08 ,  H01J37/32642

Abstract: 本实用新型涉及分段式聚焦环组件，其实施例包括聚焦环分段和聚焦环组件。在一种实施例中，聚焦环分段包括弧形主体，该主体具有下部环分段、中部环分段、顶部环分段和唇缘。下部环分段具有底表面，中部环分段也具有底表面，其中，中部环分段在中部环分段的底表面处连接到下部环分段。顶部环分段具有底表面，其中，顶部环分段在顶部环分段的底表面处连接到中部环分段。唇缘在中部环分段的上方水平地延伸，其中，唇缘朝着聚焦环分段的中心线在径向向内倾斜。在另一种实施例中，聚焦环组件包括至少一个第一环分段和第二环分段。