公开(公告)号：CN112930582B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201980069660.6

申请日：2019-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·奥布赫恩 ,  桑吉夫·巴鲁贾 ,  德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 ,  杰瑞德·艾哈迈德·里 ,  特哈斯·乌拉维 ,  迈克尔·赖斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 描述了处理一个或多个晶片的设备和方法。处理腔室包括：第一处理站，包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器；第二处理站，包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器；和基板支撑组件，包括多个实质上共面的支撑表面，基板支撑组件经配置成使支撑表面在第一处理站和第二处理站之间移动。在晶片位于支撑表面上时，在约0.5秒内于站之间移动晶片时产生的温度偏斜小于约0.5℃。

公开(公告)号：CN112930582A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980069660.6

申请日：2019-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·奥布赫恩 ,  桑吉夫·巴鲁贾 ,  德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 ,  杰瑞德·艾哈迈德·里 ,  特哈斯·乌拉维 ,  迈克尔·赖斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 描述了处理一个或多个晶片的设备和方法。处理腔室包括：第一处理站，包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器；第二处理站，包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器；和基板支撑组件，包括多个实质上共面的支撑表面，基板支撑组件经配置成使支撑表面在第一处理站和第二处理站之间移动。在晶片位于支撑表面上时，在约0.5秒内于站之间移动晶片时产生的温度偏斜小于约0.5℃。