公开(公告)号：CN111164742B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201880053440.X

申请日：2018-07-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 毛示旻 ,  黄西门 ,  阿施·高尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: H01L21/67

Abstract: 实施方式包括用于监测蚀刻速率或沉积速率或用于控制晶片制造工艺的操作的系统、设备和方法。在一个实施方式中，一种处理工具包括：处理腔室，具有围绕腔室容积的衬垫壁；和监测设备，具有经由衬垫壁中的孔暴露于腔室容积的传感器。所述传感器能够实时地测量在晶片制造工艺期间发生在腔室容积内的材料沉积速率和去除速率。可相对于衬垫壁中的孔移动监测设备以选择性地将传感器或空白区域经由孔暴露于腔室容积。因此，可通过传感器来监测正在腔室容积中执行的晶片制造工艺，并且可在原位腔室清洁工艺期间将传感器从腔室容积密封。

公开(公告)号：CN111164742A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880053440.X

申请日：2018-07-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 毛示旻 ,  黄西门 ,  阿施·高尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: H01L21/67

Abstract: 实施方式包括用于监测蚀刻速率或沉积速率或用于控制晶片制造工艺的操作的系统、设备和方法。在一个实施方式中，一种处理工具包括：处理腔室，具有围绕腔室容积的衬垫壁；和监测设备，具有经由衬垫壁中的孔暴露于腔室容积的传感器。所述传感器能够实时地测量在晶片制造工艺期间发生在腔室容积内的材料沉积速率和去除速率。可相对于衬垫壁中的孔移动监测设备以选择性地将传感器或空白区域经由孔暴露于腔室容积。因此，可通过传感器来监测正在腔室容积中执行的晶片制造工艺，并且可在原位腔室清洁工艺期间将传感器从腔室容积密封。

公开(公告)号：CN116844999A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310624400.9

申请日：2018-07-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 毛示旻 ,  黄西门 ,  阿施·高尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: H01L21/67

Abstract: 实施方式包括用于监测蚀刻速率或沉积速率或用于控制晶片制造工艺的操作的系统、设备和方法。在一个实施方式中，一种处理工具包括：处理腔室，具有围绕腔室容积的衬垫壁；和监测设备，具有经由衬垫壁中的孔暴露于腔室容积的传感器。所述传感器能够实时地测量在晶片制造工艺期间发生在腔室容积内的材料沉积速率和去除速率。可相对于衬垫壁中的孔移动监测设备以选择性地将传感器或空白区域经由孔暴露于腔室容积。因此，可通过传感器来监测正在腔室容积中执行的晶片制造工艺，并且可在原位腔室清洁工艺期间将传感器从腔室容积密封。