公开(公告)号：CN110612594B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201880030817.X

申请日：2018-03-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蔡泰正 ,  法扎德·霍什曼德 ,  克里斯汀·阿莫米诺 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供使用模块化微波源的具有对称且不规则的形状的等离子体。实施方式包含：等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包含：处理腔室，及被耦接至该处理腔室的多个模块化微波源。在一实施方式中，该多个模块化微波源包含：施加器的阵列，所述施加器被设置在介电体上，该介电体形成该处理腔室的外壁的一部分。该施加器的阵列可被耦接至该介电体。此外，该多个模块化微波源可包含：微波放大模块的阵列。在一实施方式中，每一微波放大模块可被耦接至在施加器的阵列中的所述施加器中的至少一者。根据一实施方式，该介电体是平面的、非平面的、对称的，或非对称的。在又一实施方式中，该介电体可包含：多个凹部。在此一实施方式中，至少一个施加器可被设置在所述凹部的至少一者中。

公开(公告)号：CN115692156A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211292228.3

申请日：2018-03-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蔡泰正 ,  法扎德·霍什曼德 ,  克里斯汀·阿莫米诺 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: H01J37/32

Abstract: 实施方式包含：等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包含：处理腔室，及被耦接至该处理腔室的多个模块化微波源。在一实施方式中，该多个模块化微波源包含：施加器的阵列，所述施加器被设置在介电体上，该介电体形成该处理腔室的外壁的一部分。该施加器的阵列可被耦接至该介电体。此外，该多个模块化微波源可包含：微波放大模块的阵列。在一实施方式中，每一微波放大模块可被耦接至在施加器的阵列中的所述施加器中的至少一者。根据一实施方式，该介电体是平面的、非平面的、对称的，或非对称的。在又一实施方式中，该介电体可包含：多个凹部。在此一实施方式中，至少一个施加器可被设置在所述凹部的至少一者中。

公开(公告)号：CN110612594A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201880030817.X

申请日：2018-03-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蔡泰正 ,  法扎德·霍什曼德 ,  克里斯汀·阿莫米诺 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: H01J37/32

Abstract: 实施方式包含：等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包含：处理腔室，及被耦接至该处理腔室的多个模块化微波源。在一实施方式中，该多个模块化微波源包含：施加器的阵列，所述施加器被设置在介电体上，该介电体形成该处理腔室的外壁的一部分。该施加器的阵列可被耦接至该介电体。此外，该多个模块化微波源可包含：微波放大模块的阵列。在一实施方式中，每一微波放大模块可被耦接至在施加器的阵列中的所述施加器中的至少一者。根据一实施方式，该介电体是平面的、非平面的、对称的，或非对称的。在又一实施方式中，该介电体可包含：多个凹部。在此一实施方式中，至少一个施加器可被设置在所述凹部的至少一者中。

公开(公告)号：CN116569107A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180076016.9

申请日：2021-11-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 法扎德·霍什曼德 ,  韦恩·弗兰奇 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  凯尔文·陈 ,  拉克马尔·C·卡拉塔拉格 ,  马克·约瑟夫·萨利

IPC: G03F7/16

Abstract: 一些实施方式包括在处理腔室中沉积光刻胶至基板上的方法。在一个实施方式中，该方法包含使氧化剂经由喷头中的第一路径流入处理腔室，并且使有机金属经由喷头中的第二路径流入处理腔室。在一个实施方式中，第一路径与第二路径隔离，以便氧化剂与有机金属不会在喷头内混合。在一个实施方式中，该方法进一步包含氧化剂与有机金属在处理腔室中反应以在基板上沉积光刻胶。

公开(公告)号：CN116034449A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180056197.9

申请日：2021-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 法扎德·霍什曼德 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  凯尔文·陈

IPC: H01J37/32

Abstract: 在一个实施方式中，公开了一种半导体处理工具。在一个实施方式中，半导体处理工具包括腔室和穿过该腔室的表面的可移位柱。在一个实施方式中，该柱包括底板、底板之上的绝缘层、绝缘层之上的基座，和围绕接地板、绝缘体和基座的周边的边缘环。在一个实施方式中，在边缘环与基座之间提供流体路径。