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发明公开
用于三维存储器的L型字线连接结构审中-实审

公开(公告)号：CN118339940A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280073978.3

申请日：2022-09-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 , 李吉镛 , 弗雷德·费什伯恩 , 北岛知彦 , 姜声官 , 索尼·瓦吉斯

IPC: H10B41/30 , H10B41/50 , H10B43/30 , H10B43/50 , H10B12/00

Abstract: 描述了用于形成三维(3D)存储器结构的半导体制造工艺及具有三维存储器结构的半导体装置。三维存储器结构包含具有L形导电层的存储器单元层，其中每一层的L形导电层耦接至设置在顶层或最上层上方的金属线，以使得每一层中的存储器单元可经耦合至控制电路系统。

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