公开(公告)号：CN107406983A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580070028.5

申请日：2015-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  K·V·塔达尼 ,  J·S·卡契安 ,  N·拉贾戈帕兰

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/40 ,  B81B3/00 ,  H01L21/02

Abstract: 减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过用自由基处理含支柱的基板来形成处理表面。自由基可以是硅基的、氮基的或氧基的。该方法可包括通过使有机硅前体和氧前体反应来在处理表面上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过使有机硅前体、氧前体和自由基前体反应来在含支柱的基板上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。自由基前体可选自由氮基自由基前体、氧基自由基前体和硅基自由基前体所组成的群组。

公开(公告)号：CN107406983B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201580070028.5

申请日：2015-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  K·V·塔达尼 ,  J·S·卡契安 ,  N·拉贾戈帕兰

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/40 ,  B81B3/00 ,  H01L21/02

Abstract: 减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过用自由基处理含支柱的基板来形成处理表面。自由基可以是硅基的、氮基的或氧基的。该方法可包括通过使有机硅前体和氧前体反应来在处理表面上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过使有机硅前体、氧前体和自由基前体反应来在含支柱的基板上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。自由基前体可选自由氮基自由基前体、氧基自由基前体和硅基自由基前体所组成的群组。