公开(公告)号：CN103348461A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180066914.2

申请日：2011-12-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·拉贾戈帕兰 ,  朴智爱 ,  R·雅玛西 ,  S·帕特尔 ,  T·诺瓦克 ,  L-Q·夏 ,  金秉宪 ,  R·丁 ,  J·巴尔迪诺 ,  M·奈克 ,  S·拉马斯瓦米

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/045 ,  H01L23/055

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种直通硅穿孔制造方法包括：在硅板中蚀刻多个直通孔。将氧化物衬垫沉积在硅板的表面上并且沉积在直通孔的侧壁及底壁上。然后，在直通孔中沉积金属导体。在可与氧化物衬垫同时使用的另一方案中，将氮化硅钝化层沉积在基板的硅板的暴露后表面上。

公开(公告)号：CN102804350A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180014065.6

申请日：2011-03-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·拉贾戈帕兰 ,  X·韩 ,  R·雅玛西 ,  朴智爱 ,  S·帕特尔 ,  T·诺瓦克 ,  Z·崔 ,  M·奈克 ,  H·L·朴 ,  R·丁 ,  金秉宪

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/02068 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文描述在基板的特征结构上形成包括氮化硅的钝化层的方法。在沉积方法的第一阶段中，将包括含硅气体与含氮气体的电介质沉积气体导入处理区中并经供给能量以沉积氮化硅层。在第二阶段中，将组成不同于电介质沉积气体的处理气体导入处理区并经供给能量以处理氮化硅层。可对第一阶段与第二阶段执行多次。